| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 第1章 绪论 | 第9-21页 |
| ·引言 | 第9-11页 |
| ·碳纳米管和硼氮纳米管 | 第11-13页 |
| ·碳纳米管 | 第11-13页 |
| ·硼氮纳米管 | 第13页 |
| ·硅纳米线和硅纳米管 | 第13-17页 |
| ·硅纳米线 | 第13-16页 |
| ·硅纳米管 | 第16-17页 |
| ·碳化硅纳米线 | 第17页 |
| ·Ge(001)表面的准一维电子气 | 第17-19页 |
| ·第一原理计算方法 | 第19页 |
| ·研究内容 | 第19-21页 |
| 第2章 理论方法 | 第21-28页 |
| ·引言 | 第21-22页 |
| ·量子多体问题 | 第22-23页 |
| ·密度泛函理论 | 第23-25页 |
| ·自洽场方法 | 第25-26页 |
| ·场发射的动态模拟方法 | 第26-27页 |
| ·小结 | 第27-28页 |
| 第3章 单晶结构硅纳米管的电子性质 | 第28-43页 |
| ·引言 | 第28-29页 |
| ·均匀厚度的硅纳米管 | 第29-36页 |
| ·晶体纳米管的结构模型和计算方法 | 第29-30页 |
| ·纳米管的电子结构 | 第30-36页 |
| ·不均匀厚度的硅纳米管 | 第36-41页 |
| ·结构模型和计算方法 | 第36页 |
| ·电子结构的非均匀性效应 | 第36-37页 |
| ·基于非均匀性效应的新调制掺杂方法 | 第37-39页 |
| ·硅纳米管的光学性质 | 第39-41页 |
| ·硅锗异质结构的纳米线 | 第41页 |
| ·结论 | 第41-43页 |
| 第4章 Ge(001)表面号π~*准一维导电通道中的杂质散射 | 第43-55页 |
| ·引言 | 第43-44页 |
| ·STM实验测量和驻波的相移分析 | 第44-46页 |
| ·密度泛函方法和近自由电子模型 | 第46-47页 |
| ·表面电子性质计算和STM图像模拟 | 第47-51页 |
| ·散射势场的理论计算和形成机制 | 第51-53页 |
| ·原子开关的翻转势垒 | 第53-54页 |
| ·结论 | 第54-55页 |
| 第5章 硼氮纳米管的场发射特性 | 第55-62页 |
| ·引言 | 第55页 |
| ·计算方法:密度泛函和场发射动态模拟 | 第55-56页 |
| ·Cs原子掺杂的硼氮纳米管的电子性质 | 第56-59页 |
| ·Cs原子掺杂的硼氮纳米管的场发射性质 | 第59-61页 |
| ·结论 | 第61-62页 |
| 第6章 碳化硅纳米线在应力下的电子学性质 | 第62-68页 |
| ·引言 | 第62页 |
| ·计算方法 | 第62页 |
| ·SiC纳米线的电子结构和轴向应力的影响 | 第62-65页 |
| ·SiC纳米线的力学性质 | 第65-66页 |
| ·ZnO表面和ZnO纳米线上的H原子吸附 | 第66-67页 |
| ·结论 | 第67-68页 |
| 第7章 总结 | 第68-70页 |
| 参考文献 | 第70-81页 |
| 致谢 | 第81-82页 |
| 个人简历、在学期间发表的学术论文与研究成果 | 第82-83页 |