In-N共掺杂ZnO薄膜的制备及特性研究
| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-9页 |
| 1 研究背景和意义 | 第9-26页 |
| ·引言 | 第9-10页 |
| ·ZnO的基本性质 | 第10-11页 |
| ·ZnO的结构形态 | 第11-13页 |
| ·ZnO体单晶 | 第11-12页 |
| ·ZnO薄膜 | 第12-13页 |
| ·ZnO纳米结构 | 第13页 |
| ·ZnO薄膜的性能 | 第13-16页 |
| ·ZnO薄膜的光学性能 | 第13-15页 |
| ·ZnO薄膜的电学性能 | 第15页 |
| ·ZnO薄膜的能带工程 | 第15-16页 |
| ·ZnO薄膜的缺陷 | 第16-17页 |
| ·ZnO的点缺陷 | 第16-17页 |
| ·ZnO的线缺陷和堆垛层错 | 第17页 |
| ·p型ZnO薄膜的研究进展 | 第17-23页 |
| ·~IA族掺杂 | 第18页 |
| ·VA族掺杂 | 第18-20页 |
| ·Ⅲ-N共掺杂 | 第20-23页 |
| ·ZnO薄膜的应用 | 第23-24页 |
| ·ZnO在压敏和气敏器件方面的应用 | 第23页 |
| ·光电器件方面的应用 | 第23-24页 |
| ·本文的立题依据、研究内容及创新点 | 第24-26页 |
| ·立题依据 | 第24页 |
| ·研究内容 | 第24-25页 |
| ·本文的特色和创新点 | 第25-26页 |
| 2 射频磁控溅射的工作原理与薄膜的制备 | 第26-40页 |
| ·薄膜生长过程 | 第26页 |
| ·ZnO薄膜制备方法 | 第26-29页 |
| ·化学气相沉积(CVD) | 第26-27页 |
| ·溶胶凝胶(Sol-Gel) | 第27页 |
| ·分子束外延(MBE) | 第27-28页 |
| ·激光脉冲沉积(PLD)法 | 第28页 |
| ·喷雾热解(Spray Pyrolysis) | 第28-29页 |
| ·真空蒸发镀膜法 | 第29页 |
| ·磁控溅射法 | 第29页 |
| ·射频磁控溅射的基本原理 | 第29-35页 |
| ·射频溅射 | 第30-31页 |
| ·磁控溅射 | 第31-32页 |
| ·射频磁控溅射 | 第32-33页 |
| ·溅射的主要参量 | 第33-35页 |
| ·薄膜的制备 | 第35-39页 |
| ·射频磁控装置 | 第36页 |
| ·靶材及衬底的准备 | 第36-37页 |
| ·薄膜制备工艺流程 | 第37-38页 |
| ·制备薄膜的基本参数 | 第38页 |
| ·薄膜的厚度测试 | 第38-39页 |
| ·小结 | 第39-40页 |
| 3 离子注入、退火及性能评价 | 第40-51页 |
| ·离子注入的原理 | 第40-44页 |
| ·离子注入装置的简介 | 第40-41页 |
| ·非晶靶的垂直投影射程分布 | 第41-43页 |
| ·离子注入的主要优点 | 第43-44页 |
| ·离子注入的缺点 | 第44页 |
| ·退火(热处理) | 第44-45页 |
| ·性能评价 | 第45-50页 |
| ·X射线衍射(XRD)分析 | 第45页 |
| ·霍尔(Hall)测试 | 第45-47页 |
| ·双光束紫外-可见分光光度计原理 | 第47-48页 |
| ·X光电子能谱基本原理 | 第48-50页 |
| ·小结 | 第50-51页 |
| 4 N-In共掺杂p型ZnO薄膜的特性 | 第51-61页 |
| ·ZnO薄膜的结构特性 | 第51-52页 |
| ·ZnO薄膜的电学特性 | 第52-56页 |
| ·N-In共掺杂ZnO薄膜化学成分分析 | 第56-58页 |
| ·P型ZnO薄膜的光学特性 | 第58-59页 |
| ·p型ZnO薄膜的稳定性及p型转变分布情况 | 第59-60页 |
| ·小结 | 第60-61页 |
| 5 总结 | 第61-63页 |
| 参考文献 | 第63-69页 |
| 附:攻读硕士学位期间发表的论文及科研情况 | 第69-70页 |
| 致谢 | 第70-71页 |
