退火处理对肖特基二极管反向击穿电压影响的研究
| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-11页 |
| 第1章 绪论 | 第11-20页 |
| ·课题背景 | 第11-12页 |
| ·SBD 的发展现状 | 第12-18页 |
| ·SBD 的结构及等效电路 | 第12-14页 |
| ·Si 外延技术 | 第14-16页 |
| ·SBD 反向击穿特性的研究进展 | 第16-18页 |
| ·本文主要研究内容 | 第18-20页 |
| 第2章 SBD 器件工作原理 | 第20-38页 |
| ·肖特基势垒的形成 | 第20-24页 |
| ·肖特基势垒的电流输运机理 | 第24-28页 |
| ·电子越过势垒输运机理 | 第24-27页 |
| ·其他形式的电流输运机理 | 第27页 |
| ·反向电流特性 | 第27-28页 |
| ·肖特基二极管的I-V 特性模型 | 第28-29页 |
| ·肖特基势垒电容 | 第29-31页 |
| ·肖特基势垒的测试 | 第31-32页 |
| ·电流-电压法 | 第31页 |
| ·光电法（XPS 法） | 第31-32页 |
| ·电容-电压法 | 第32页 |
| ·欧姆接触及其测试 | 第32-37页 |
| ·欧姆接触机理 | 第33-34页 |
| ·欧姆接触的测试 | 第34-37页 |
| ·本章小结 | 第37-38页 |
| 第3章 Si 外延片上SBD 的制备 | 第38-45页 |
| ·实验材料 | 第38-39页 |
| ·外延层的浓度 | 第38-39页 |
| ·外延层的厚度 | 第39页 |
| ·材料的选择 | 第39页 |
| ·实验仪器及制备过程 | 第39-44页 |
| ·工艺流程 | 第40-42页 |
| ·制备过程 | 第42-44页 |
| ·本章小结 | 第44-45页 |
| 第4章 SBD 的特性测试及分析 | 第45-55页 |
| ·MS 肖特基接触界面层和表面态特性 | 第45-48页 |
| ·肖特基接触表面态分布的提取方法 | 第48-49页 |
| ·特性测试及参数提取 | 第49-53页 |
| ·特性测试及基本电参数的提取 | 第49-52页 |
| ·提取表面态和界面层特性参数 | 第52-53页 |
| ·表面态和界面层对器件特性的影响 | 第53-54页 |
| ·本章小结 | 第54-55页 |
| 第5章 SBD 的微观表征及分析 | 第55-65页 |
| ·SBD 横断面的元素分布 | 第55-59页 |
| ·采用退火处理样品的元素分布 | 第55-58页 |
| ·未采用退火处理样品的元素分布 | 第58-59页 |
| ·SBD 横断面的形貌和显微结构 | 第59-63页 |
| ·成分和结构对性能的影响 | 第63-64页 |
| ·本章小结 | 第64-65页 |
| 结论 | 第65-66页 |
| 参考文献 | 第66-71页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文 | 第71-72页 |
| 致谢 | 第72页 |
