单晶硅片CMP磨损机理的模拟试验研究
| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-15页 |
| ·课题来源及研究目的 | 第7-8页 |
| ·课题来源 | 第7-8页 |
| ·研究目的 | 第8页 |
| ·研究背景及现存问题 | 第8-11页 |
| ·研究背景 | 第8-9页 |
| ·理论研究 | 第9-10页 |
| ·试验研究 | 第10-11页 |
| ·本论文研究的主要内容 | 第11-13页 |
| 本章参考文献 | 第13-15页 |
| 第二章 单颗磨粒的去除机理与数学模型 | 第15-28页 |
| ·材料表面去除机理 | 第15-21页 |
| ·经典摩擦磨损机理 | 第15页 |
| ·CMP 中应力接触模型 | 第15-18页 |
| ·机械接触下的应力模型 | 第16-17页 |
| ·考虑流体膜作用下的模型 | 第17-18页 |
| ·芯片表面材料去除模型 | 第18-21页 |
| ·机械去除模型 | 第18-20页 |
| ·机械、流体膜作用模型 | 第20页 |
| ·机械、化学协调作用模型 | 第20-21页 |
| ·单颗磨粒在芯片表面的单分子层材料吸附去除机理 | 第21-23页 |
| ·单颗磨粒去除的数学模型 | 第23-28页 |
| ·单颗磨粒的压入深度 | 第23-24页 |
| ·单颗磨粒的去除率 | 第24-26页 |
| 本章参考文献 | 第26-28页 |
| 第三章 单颗磨粒的微观模拟试验 | 第28-43页 |
| ·纳米压痕仪压痕试验 | 第28-32页 |
| ·纳米压痕仪工作原理 | 第28-29页 |
| ·TRIBO INDENTER 纳米压痕试验 | 第29-32页 |
| ·原子力显微镜（AFM）模拟试验 | 第32-42页 |
| ·原子力显微镜（AFM） | 第32-35页 |
| ·AFM 的工作机理 | 第32-34页 |
| ·AFM 的工作模式 | 第34-35页 |
| ·AFM 探针模拟试验 | 第35-42页 |
| ·AFM 探针模拟的可行性验证试验 | 第35-37页 |
| ·AFM 探针的模拟试验 | 第37-42页 |
| 本章参考文献 | 第42-43页 |
| 第四章 CMP 的宏观去除模型 | 第43-52页 |
| ·抛光盘与芯片的微观接触特性分析 | 第43-45页 |
| ·磨粒特性分析 | 第45-47页 |
| ·平均粒径与粒径尺寸分布度 | 第45页 |
| ·磨粒的自身变形量对磨料嵌入深度的影响 | 第45-47页 |
| ·抛光液的化学反应特性分析 | 第47-48页 |
| ·CMP 过程的宏观去除模型 | 第48-49页 |
| ·CMP 宏观去除模型的验证 | 第49-51页 |
| 本章参考文献 | 第51-52页 |
| 第五章 结论与展望 | 第52-54页 |
| ·结论 | 第52-53页 |
| ·不足之处与展望 | 第53-54页 |
| 读研期间发表的论文清单 | 第54-55页 |
| 致谢 | 第55页 |
