摘要 | 第1-6页 |
Abstract | 第6-11页 |
第1章 绪论 | 第11-23页 |
·前言 | 第11页 |
·高硅铝合金组织、性能特点 | 第11-13页 |
·高硅铝合金的组织特征 | 第11-12页 |
·初生硅的形态种类 | 第12-13页 |
·常用高硅铝合金牌号及其力学性能 | 第13页 |
·初生硅形态控制机理及研究现状 | 第13-21页 |
·初生硅的生长机制 | 第13-16页 |
·初生硅形态的主要影响因素 | 第16-17页 |
·冷却速度 | 第16页 |
·合金元素/杂质的影响 | 第16页 |
·过热温度 | 第16-17页 |
·初生硅形态控制技术研究现状 | 第17-21页 |
·变质剂处理 | 第17-18页 |
·半固态搅拌 | 第18-19页 |
·快速凝固 | 第19-20页 |
·电脉冲处理 | 第20-21页 |
·本课题的选题意义及研究内容 | 第21-23页 |
·选题的科学意义及应用前景 | 第21-22页 |
·研究内容 | 第22-23页 |
第2章 试验材料、设备及研究方案 | 第23-31页 |
·试验原材料 | 第23页 |
·Al-20Si合金材料的制备 | 第23-25页 |
·合金的熔炼工艺 | 第23-25页 |
·炉料、熔炼工具的准备 | 第23页 |
·熔液的温度控制 | 第23页 |
·合金液的精炼 | 第23-24页 |
·浇注工艺参数的确定 | 第24-25页 |
·变质处理工艺 | 第25页 |
·变质剂的加入方法 | 第25页 |
·变质剂加入量的确定 | 第25页 |
·扩散加热处理工艺 | 第25-26页 |
·液固两相区二次加热 | 第26-27页 |
·试验流程小结 | 第27-28页 |
·金相组织分析 | 第28-29页 |
·试样的制取 | 第28页 |
·金相照片的定量分析 | 第28-29页 |
·初生硅尺寸的判定 | 第28-29页 |
·初生硅形状的判定 | 第29页 |
·材料性能测试 | 第29-31页 |
·常温拉伸试验 | 第29-30页 |
·热膨胀测试 | 第30页 |
·磨损试验 | 第30-31页 |
第3章 铸造工艺条件及变质处理对初生硅的影响 | 第31-42页 |
·铸造工艺条件对铸态组织中初生硅的影响 | 第31-35页 |
·浇注温度对铸态组织中初生硅的影响 | 第31-33页 |
·铸型温度对对铸态组织中初生硅的影响 | 第33-35页 |
·P变质对铸态组织的初生硅的影响 | 第35-40页 |
·变质工艺参数的确定 | 第35-38页 |
·变质剂的加入温度 | 第35-36页 |
·变质剂的保温时间 | 第36页 |
·变质剂加入量对铸态组织中初生硅的影响 | 第36-38页 |
·加P变质的变质机理 | 第38-40页 |
·本章小结 | 第40-42页 |
第4章 扩散加热处理对Al-20%Si硅相形态的影响 | 第42-49页 |
·扩散加热处理的工艺特点 | 第42页 |
·扩散加热处理与固溶处理 | 第42页 |
·扩散加热处理的工艺参数 | 第42页 |
·扩散加热处理工艺参数对微观组织的影响 | 第42-45页 |
·扩散加热时间 | 第42-45页 |
·扩散加热温度 | 第45页 |
·扩散加热处理对初生硅形态的影响机理 | 第45-48页 |
·本章小结 | 第48-49页 |
第5章 液固两相区二次加热对初生硅形态的影响 | 第49-66页 |
·二次加热工艺条件 | 第50-53页 |
·半固态等温温度的确定 | 第50-51页 |
·液相体积分数的测定 | 第51-52页 |
·加热系统的控制 | 第52-53页 |
·二次加热工艺参数对高硅铝合金微观组织的影响 | 第53-61页 |
·微观组织演变过程 | 第53-56页 |
·初生硅的定量描述 | 第56-58页 |
·二次加热对550℃,24h扩散加热处理后的试样显微组织的影响 | 第58-61页 |
·二次加热对初生硅形态的影响机理 | 第61-65页 |
·固相界面曲率对熔点的影响 | 第61-63页 |
·二次加热过程中等轴初生硅颗粒的球化模型 | 第63-65页 |
·本章小结 | 第65-66页 |
第6章 初生硅形态对Al-20%Si合金性能的影响 | 第66-79页 |
·常温力学性能 | 第66-72页 |
·试验结果及断口形貌 | 第66-70页 |
·断裂机理分析 | 第70-72页 |
·热膨胀性能 | 第72-73页 |
·磨损性能 | 第73-78页 |
·磨损量、磨损率与载荷的关系 | 第73-75页 |
·摩擦系数与载荷之间的关系 | 第75-76页 |
·磨损机制及实验结果的讨论 | 第76-78页 |
·本章小结 | 第78-79页 |
第7章 结论 | 第79-80页 |
致谢 | 第80-81页 |
参考文献 | 第81-86页 |