摘要 | 第1-7页 |
Abstract | 第7-10页 |
第一章 绪论 | 第10-14页 |
·研究意义 | 第10页 |
·研究背景 | 第10-11页 |
·国内外研究状况 | 第11-12页 |
·本文研究目的 | 第12页 |
·本文主要工作与结构安排 | 第12-14页 |
第二章 双极型器件脉冲效应机理研究 | 第14-20页 |
·双极型器件安全工作区研究 | 第14-16页 |
·双极型器件集电极电流构成和电流-电压关系 | 第16-19页 |
·本章小结 | 第19-20页 |
第三章 常见脉冲信号特性分析 | 第20-40页 |
·脉冲信号基础理论研究 | 第20-23页 |
·信号能量、功率和功率谱密度的定义 | 第20-21页 |
·傅立叶变换 | 第21-22页 |
·信号能量、功率、功率谱(功率密度)与频谱函数F(j ω) 的关系 | 第22-23页 |
·常见脉冲信号一个周期内的平均功率和能量 | 第23-26页 |
·矩形波脉冲 | 第23页 |
·正弦波脉冲 | 第23页 |
·锯齿波脉冲 | 第23-24页 |
·调制矩形波脉冲 | 第24-25页 |
·高斯波脉冲 | 第25页 |
·调制高斯波脉冲 | 第25-26页 |
·离散频率的扫频波 | 第26页 |
·常见脉冲信号功率谱分析 | 第26-38页 |
·矩形波脉冲功率谱分析 | 第27-31页 |
·半波余弦脉冲功率谱分析 | 第31-33页 |
·三角波脉冲功率谱分析 | 第33-38页 |
·本章小结 | 第38-40页 |
第四章 微波低噪声放大器脉冲效应分析 | 第40-64页 |
·双极型晶体管脉冲效应分析 | 第40-56页 |
·Si-BJT中位移电流、传导电流密度与周期的关系 | 第41-44页 |
·Si-BJT中位移电流、传导电流密度与脉冲宽度的关系 | 第44-47页 |
·Si-BJT中位移电流、传导电流与载波频率的关系 | 第47-49页 |
·GaAs-HBT中位移电流、传导电流与脉冲信号占空比的关系 | 第49-54页 |
·GaAs-HBT中位移电流、传导电流与载波频率的关系 | 第54-56页 |
·双极型器件脉冲效应经验公式 | 第56-58页 |
·常见微波低噪声放大器脉冲效应分析 | 第58-62页 |
·A-放大器内部电路分析 | 第58-59页 |
·B5 放大器内部电路分析 | 第59-60页 |
·B3 放大器内部电路分析 | 第60-61页 |
·B5B放大器内部电路分析 | 第61-62页 |
·微波低噪声放大器脉冲效应输入实验 | 第62页 |
·本章小结 | 第62-64页 |
第五章 基于ADS软件的微波低噪声放大器仿真与分析 | 第64-82页 |
·ADS仿真软件以及器件模型 | 第64-65页 |
·微波低噪声放大器的软件仿真 | 第65-81页 |
·A-放大器电路的软件仿真与分析 | 第65-68页 |
·B5 放大器电路的软件仿真与分析 | 第68-75页 |
·B3 放大器电路的软件仿真与分析 | 第75-79页 |
·B5B放大器电路的软件仿真与分析 | 第79-81页 |
·本章小结 | 第81-82页 |
第六章 结束语 | 第82-84页 |
致谢 | 第84-86页 |
参考文献 | 第86-89页 |
研究成果 | 第89页 |