摘要 | 第1-5页 |
ABSTRACT | 第5-11页 |
1 绪论 | 第11-23页 |
·h-BN 陶瓷介电性能研究的意义 | 第11-12页 |
·透波介质及其介电性能进展的研究 | 第12-16页 |
·高温透波介质体系的研究进展 | 第13-14页 |
·高温、高频介电性能测试技术的研究进展 | 第14-15页 |
·透波介质介电性能预测的研究现状 | 第15-16页 |
·介电性能建模与计算的研究现状 | 第16-20页 |
·极化率理论计算方面 | 第16页 |
·离子电导与相应损耗的研究 | 第16-17页 |
·复介电常数计算模型 | 第17-19页 |
·复合/混合介质介电性能的计算 | 第19-20页 |
·本文的研究目标和主要研究内容 | 第20-23页 |
2 h-BN 陶瓷极化与电导特性研究 | 第23-41页 |
·h-BN 陶瓷的电子位移极化 | 第23-29页 |
·经典电子位移极化率计算模型及其局限性 | 第23-25页 |
·非对称双原子分子计算模型 | 第25-28页 |
·h-BN 陶瓷电子位移极化率的计算 | 第28-29页 |
·h-BN 陶瓷的离子位移极化 | 第29-33页 |
·h-BN 陶瓷中等效离子键的研究 | 第29-31页 |
·h-BN 晶体中等效离子的位移极化率计算方法 | 第31-32页 |
·h-BN 陶瓷离子位移极化率的计算 | 第32-33页 |
·h-BN 陶瓷的热离子极化 | 第33-35页 |
·h-BN 陶瓷中的弱束缚离子 | 第33-34页 |
·h-BN 陶瓷热离子极化率的计算 | 第34-35页 |
·h-BN 陶瓷中的电导特性 | 第35-40页 |
·本章小结 | 第40-41页 |
3 h-BN 陶瓷复介电性能模型 | 第41-53页 |
·经典的复介电常数计算模型 | 第41-42页 |
·h-BN 陶瓷有效电场的计算 | 第42-50页 |
·经典有效电场模型对h-BN 陶瓷的适用性研究 | 第42-43页 |
·电子云重叠与渗透效应修正h-BN 陶瓷有效电场的探索 | 第43-45页 |
·考虑邻近粒子影响h-BN 陶瓷有效电场的计算 | 第45-50页 |
·h-BN 陶瓷复介电常数计算的修正模型 | 第50-52页 |
·本章小结 | 第52-53页 |
4 复介电常数计算模型中关键参数的确定与实验验证 | 第53-67页 |
·h-BN 陶瓷复介电常数计算模型中关键参数的确定 | 第53-62页 |
·光频相对介电常数的计算确定 | 第53-54页 |
·静态相对介电常数的实验确定 | 第54-55页 |
·h-BN 陶瓷缺陷离子形成能的分子模拟计算 | 第55-56页 |
·弛豫时间分布参数的实验拟合确定 | 第56-62页 |
·h-BN 复介电常数计算模型的实验验证 | 第62-63页 |
·h-BN 陶瓷高温介电特性研究 | 第63-66页 |
·高温介电谱试验装置及试样 | 第63-64页 |
·h-BN 陶瓷高温介电谱 | 第64-65页 |
·h-BN 陶瓷高温弛豫特性的研究 | 第65-66页 |
·本章小结 | 第66-67页 |
5 h-BN 陶瓷混合相介电性能的建模与计算 | 第67-82页 |
·传统的两相混合材料介电性能计算模型 | 第67-69页 |
·Maxwell-Garnett 球状弥散体计算模型 | 第67-68页 |
·椭球形弥散体计算模型 | 第68-69页 |
·球状弥散体体积随机分布计算模型 | 第69-74页 |
·弥散体体积随机分布的蒙特卡罗模拟 | 第69-70页 |
·基于有限元法计算弥散体单元的等效介电常数 | 第70-74页 |
·气隙对h-BN 陶瓷介电性能的影响 | 第74-78页 |
·气隙对静态相对介电常数的影响 | 第74页 |
·气隙对不同频率、温度下复介电常数的影响 | 第74-78页 |
·氧化硼对h-BN 陶瓷介电性能的影响 | 第78-80页 |
·氧化硼对静态相对介电常数的影响 | 第78-79页 |
·氧化硼对不同频率、温度下复介电常数的影响 | 第79-80页 |
·本章小结 | 第80-82页 |
6 结论与展望 | 第82-83页 |
致谢 | 第83-84页 |
参考文献 | 第84-89页 |
攻读学位期间取得的研究成果 | 第89-91页 |