| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-11页 |
| 第一章 引言 | 第11-31页 |
| ·铁电薄膜 | 第11-12页 |
| ·BST薄膜 | 第12页 |
| ·介电非线性 | 第12-16页 |
| ·介电非线性的概念 | 第12-14页 |
| ·介电非线性的理论解释 | 第14-16页 |
| ·影响BST薄膜非线性的主要自身因素 | 第16-22页 |
| ·主要成分及其含量 | 第16-17页 |
| ·杂质种类及其含量 | 第17-18页 |
| ·衬底种类及其晶向 | 第18-19页 |
| ·缓冲层种类、晶向及其厚度 | 第19-21页 |
| ·电极材料的种类和晶向 | 第21-22页 |
| ·其他影响BST薄膜非线性的自身因素 | 第22页 |
| ·影响BST薄膜非线性的主要环境因素 | 第22-25页 |
| ·温度 | 第22-24页 |
| ·频率 | 第24-25页 |
| ·影响BST薄膜非线性充分体现的重要因素——BST膜层电导率 | 第25-29页 |
| ·BST材料的本征激发 | 第26页 |
| ·BST晶粒中结构缺陷的存在 | 第26-28页 |
| ·BST材料中晶界的存在 | 第28-29页 |
| ·BST膜层电导率的控制措施 | 第29页 |
| ·本论文的选题背景 | 第29-31页 |
| 第二章 界面与薄膜的非线性特性 | 第31-61页 |
| ·界面基础理论及其应用 | 第31-38页 |
| ·材料的功函数与肖特基势垒的形成 | 第31-35页 |
| ·表面态对肖特基势垒的影响 | 第35-37页 |
| ·Schottky-Mott模型 | 第37-38页 |
| ·BST薄膜的漏电流研究 | 第38-41页 |
| ·BST薄膜电容器的充电过程 | 第39页 |
| ·BST薄膜电容器的I-V特性 | 第39-41页 |
| ·BST薄膜界面过渡层研究 | 第41-61页 |
| ·BST薄膜界面过渡层存在的实验依据 | 第41-43页 |
| ·BST薄膜中电场分布的计算 | 第43-55页 |
| ·界面过渡层介电系数的计算 | 第55-57页 |
| ·考虑界面后薄膜样品的等效电路 | 第57-61页 |
| 第三章 BST膜层与薄膜的非线性特性 | 第61-85页 |
| ·BST膜层中的晶粒和晶界 | 第61-70页 |
| ·“晶粒-晶界”理想化结构模型 | 第62-67页 |
| ·晶粒中的极化以及晶粒的介电系数 | 第67-70页 |
| ·BST膜层厚度对样品整体介电性能的影响 | 第70-74页 |
| ·BST膜层厚度效应的主要文献 | 第70-71页 |
| ·BST膜层厚度效应的实验研究 | 第71-74页 |
| ·BST膜层厚度增加所带来的影响 | 第74页 |
| ·晶粒尺寸对样品非线性特性的影响 | 第74-78页 |
| ·BST晶粒的临界尺寸 | 第74页 |
| ·有关晶粒尺寸效应的主要文献报道 | 第74-76页 |
| ·BST晶粒尺寸效应的实验研究 | 第76-78页 |
| ·BST晶粒增大所带来的影响 | 第78页 |
| ·晶化程度对BST薄膜晶格参数的影响 | 第78-85页 |
| ·快速退火 | 第79-81页 |
| ·传统退火 | 第81-85页 |
| 第四章 非线性特性曲线的测试与分析 | 第85-95页 |
| ·蝶形回线的测试与分析 | 第85-90页 |
| ·测试仪器与测试条件 | 第85页 |
| ·蝶形回线的两翼不对称现象研究 | 第85-90页 |
| ·电滞回线的测试与分析 | 第90-95页 |
| ·测试仪器与测试条件 | 第90页 |
| ·相关现象研究 | 第90-95页 |
| 第五章 BST薄膜非线性特性的模拟 | 第95-106页 |
| ·蝶形回线和电滞回线的模拟 | 第95-101页 |
| ·P-E函数的表达 | 第95-96页 |
| ·C-V函数与P-E函数的关系 | 第96-97页 |
| ·模拟思路 | 第97-99页 |
| ·模拟实例 | 第99-101页 |
| ·表观介电系数与BST膜层厚度关系的模拟 | 第101-103页 |
| ·表观介电系数与晶化程度关系的模拟 | 第103-104页 |
| ·BST膜层中电场随时间变化的模拟 | 第104-106页 |
| 第六章 高可调率BST薄膜的制备实验 | 第106-140页 |
| ·理论依据与总体思路 | 第106-108页 |
| ·配方的计算 | 第108-109页 |
| ·陶瓷靶材的制备 | 第109-113页 |
| ·靶材的XRD分析 | 第113-117页 |
| ·样品1#-01 | 第113-114页 |
| ·样品2#-01 | 第114-115页 |
| ·样品3#-02 | 第115-117页 |
| ·靶材的SEM和EDS分析 | 第117-122页 |
| ·未掺杂BST陶瓷晶粒的SEM分析和EDS分析 | 第117-120页 |
| ·掺杂BST陶瓷靶材晶粒的SEM分析和EDS分析 | 第120-122页 |
| ·掺杂BST薄膜的制备、测试与分析 | 第122-139页 |
| ·掺杂BST薄膜的制备 | 第122-123页 |
| ·掺杂BST薄膜的SEM分析 | 第123-124页 |
| ·掺杂BST薄膜的XRD分析 | 第124-125页 |
| ·掺杂BST薄膜的AFM分析 | 第125-127页 |
| ·掺杂BST薄膜的GAXRD分析 | 第127-130页 |
| ·掺杂BST薄膜的介电行为测试 | 第130-139页 |
| ·实验结果 | 第139-140页 |
| 第七章 结论 | 第140-141页 |
| 致谢 | 第141-142页 |
| 参考文献 | 第142-150页 |
| 攻读硕士学位期间取得的成果 | 第150页 |