| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-20页 |
| ·SOI 技术概述 | 第10-11页 |
| ·SOI 材料制备技术 | 第11-14页 |
| ·键合及背面腐(BESOI)技术 | 第12页 |
| ·注氧隔离(SIMOX)技术 | 第12-13页 |
| ·智能剥离(Smart-cut)技术 | 第13-14页 |
| ·多孔硅外延层转移(ELTRAN)技术 | 第14页 |
| ·SOI 高压器件技术的研究现状 | 第14-17页 |
| ·SOI 市场及应用进展 | 第17-19页 |
| ·本文的主要工作 | 第19-20页 |
| 第二章 阶梯漂移区SOI LDMOS 结构耐压分析 | 第20-40页 |
| ·RESURF 原理介绍 | 第20-22页 |
| ·体硅的RESURF 原理 | 第20-21页 |
| ·SOI 的RESURF 原理 | 第21-22页 |
| ·阶梯漂移区结构及其耐压机理 | 第22-28页 |
| ·阶梯漂移区结构击穿电压与结构参数的关系 | 第28-36页 |
| ·击穿电压与分区数n 的关系 | 第28-30页 |
| ·击穿电压与漂移区长度的关系 | 第30-32页 |
| ·击穿电压与阶梯厚度和漂移区浓度的优化关系 | 第32-34页 |
| ·击穿电压与埋氧层厚度和漂移区浓度的优化关系 | 第34-36页 |
| ·阶梯漂移区结构导通电阻与自热效应的分析 | 第36-39页 |
| ·导通电阻的分析 | 第36-37页 |
| ·热效应分析 | 第37-39页 |
| ·小结 | 第39-40页 |
| 第三章 局域电荷槽结构耐压分析 | 第40-59页 |
| ·SOI 器件的纵向耐压分析 | 第40-41页 |
| ·具有界面电荷的SOILDMOS 的纵向耐压分析 | 第41-47页 |
| ·局域电荷槽结构及耐压机理 | 第47-51页 |
| ·局域电荷槽结构参数对器件耐压的影响 | 第51-55页 |
| ·基本结构参数的影响 | 第51-52页 |
| ·槽的结构参数的影响 | 第52-54页 |
| ·双面错位度对器件耐压的影响 | 第54-55页 |
| ·六边形刻槽图形对器件耐压的影响 | 第55-57页 |
| ·本章小结 | 第57-59页 |
| 第四章 总结 | 第59-61页 |
| 致谢 | 第61-62页 |
| 参考文献 | 第62-65页 |
| 攻硕期间取得的研究成果 | 第65-66页 |