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单晶硅生长过程中工艺参数对少子寿命的影响

摘要第1-5页
abstract第5-8页
第一章 前言第8-20页
   ·全球能源现状第8-12页
     ·世界气候变化危机与经济危机呼唤新能源第8-10页
     ·我国能源现状与太阳能资源分布第10-12页
   ·全球光伏产业发展现状第12-14页
     ·世界光伏发电产业概况第12-13页
     ·我国光伏产业发展概况第13-14页
   ·太阳电池概述第14-18页
     ·太阳电池材料概述第14-16页
     ·单晶硅太阳电池概述第16-18页
   ·少子寿命对单晶太阳电池的影响第18页
   ·本课题的研究重点第18-20页
第二章 单晶硅的常规和新型生长工艺第20-36页
   ·区熔单晶硅第20-21页
   ·直拉单晶硅第21-29页
     ·直拉单晶硅的常规生长原理和工艺第22-26页
     ·新型直拉单晶硅的生长工艺第26-28页
     ·新型直拉硅单晶有利于少子寿命的提高第28-29页
   ·晶体生长设备及主要检测设备第29-36页
     ·晶体生长设备第29-30页
     ·硅单晶切割设备第30-31页
     ·少子寿命及与少子寿命相关的参数的概述以及检测设备第31-36页
第三章 高少子寿命硅单晶生长系统的热场设计第36-40页
   ·高少子寿命硅单晶生长实验用热场设计第36-38页
   ·高少子寿命硅单晶生长实验用热场的计算机模拟第38-40页
第四章 高少子寿命硅单晶生长实验设计与结果分析第40-56页
   ·初始埚位对单晶硅少子寿命的影响第40-51页
     ·实验设计第40-43页
     ·样品制备第43-44页
     ·少子寿命测试结果与分析第44-51页
   ·单晶硅生长过程中晶转对单晶硅少子寿命的影响第51-56页
     ·实验设计第52页
     ·样品制备第52-53页
     ·实验测试结果与分析第53-56页
第五章 结论第56-57页
参考文献第57-61页
致谢第61页

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