| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-10页 |
| 第一章 引言 | 第10-15页 |
| ·国内外研究现状 | 第10-12页 |
| ·论文主要研究意义 | 第12-13页 |
| ·论文主要研究内容 | 第13-15页 |
| 第二章 CCD MOS 结构的加工工艺及测试表征方法概述 | 第15-38页 |
| ·CCD MOS 结构加工工艺 | 第15-26页 |
| ·Si 衬底的选择 | 第15-16页 |
| ·硅外延层生长工艺 | 第16-18页 |
| ·Si0_2 层热氧化工艺 | 第18-21页 |
| ·Si_3N_4 层淀积 | 第21-23页 |
| ·栅材料及淀积 | 第23-24页 |
| ·MOS 结构退火工艺 | 第24-26页 |
| ·CCD MOS 结构的测试表征方法 | 第26-38页 |
| ·椭圆偏振法测试原理 | 第26-27页 |
| ·Si0_2 膜致密性表征方法概述 | 第27-32页 |
| ·基片曲率法测栅介质层应力 | 第32-33页 |
| ·表面形貌表征 | 第33-36页 |
| ·电导法测量界面态密度原理 | 第36-38页 |
| 第三章 CCD MOS 结构物理性能与工艺及环境应力关系研究 | 第38-51页 |
| ·不同工艺Si0_2 膜致密性研究 | 第38-40页 |
| ·样品制备 | 第38-39页 |
| ·红外光谱测试及结果 | 第39页 |
| ·椭偏测试 | 第39-40页 |
| ·测试结果分析和讨论 | 第40页 |
| ·栅介质层应变研究 | 第40-45页 |
| ·金属栅对介质层应变的影响 | 第40-42页 |
| ·不同栅介质层结构的应变 | 第42-43页 |
| ·温冲对复合栅介质层的影响 | 第43-45页 |
| ·Si0_2 膜、Si_3N_4 膜及Al 膜表面形貌研究 | 第45-51页 |
| ·不同批次Si0_2 膜表面形貌研究 | 第45-47页 |
| ·不同批次Si_3N_4 膜表面形貌研究 | 第47-49页 |
| ·Al 膜台阶处形貌片间均匀性研究 | 第49-51页 |
| 第四章 CCD MOS 结构界面态与结构及施加环境应力的研究 | 第51-63页 |
| ·界面态模型 | 第51-56页 |
| ·化学键模型 | 第51-54页 |
| ·有效质量近似模型 | 第54-55页 |
| ·缺陷模型 | 第55-56页 |
| ·不同栅介质层结构CCD MOS 结构界面态研究 | 第56-60页 |
| ·环境应力对CCD MOS 结构界面态影响 | 第60-63页 |
| ·温冲对CCD MOS 结构界面态影响 | 第60-61页 |
| ·紫外线和 X 射线对 CCD MOS 结构界面态影响 | 第61-63页 |
| 第五章 结论 | 第63-65页 |
| 致谢 | 第65-66页 |
| 参考文献 | 第66-71页 |
| 攻硕期间取得的研究成果 | 第71-72页 |
