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半导体断路开关(SOS)效应实验研究

摘要第1-5页
ABSTRACT第5-9页
1 绪论第9-18页
   ·脉冲功率技术概述第9-12页
   ·断路开关及新型半导体断路开关第12-17页
   ·本论文研究内容第17-18页
2 半导体断路开关 SOS第18-30页
   ·半导体中纳秒电流关断现象第18-20页
   ·SOS 的物理数学模型及基本工作原理第20-29页
   ·本章小结第29-30页
3 基于 SOS 的脉冲功率发生器第30-40页
   ·SOS 脉冲功率发生器电路结构第30-34页
   ·RLC 电路模型第34-39页
   ·本章小结第39-40页
4 SOS 效应测试电路的实现与实验分析第40-51页
   ·SOS 效应测试电路设计第40-43页
   ·实验结果分析第43-50页
   ·本章小结第50-51页
5 SOS 二极管芯片工艺实验研究第51-62页
   ·工艺流程第51-55页
   ·硅片化学腐蚀减薄工艺及实验第55-61页
   ·本章小结第61-62页
6 结论第62-64页
致谢第64-65页
参考文献第65-70页
附录 1 攻读硕士学位期间发表的论文目录第70页

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