基于多孔硅的一维光子晶体研究
第一章 导论 | 第1-29页 |
·光子晶体概述 | 第10-19页 |
·光子晶体及其性质 | 第10-15页 |
·光子晶体的应用及其制备技术 | 第15-16页 |
·一维光子晶体特性 | 第16-19页 |
·基于多孔硅一维光子晶体的介绍 | 第19-27页 |
·多孔硅材料及其形成 | 第19-22页 |
·多孔硅材料的应用 | 第22-24页 |
·基于多孔硅一维光子晶体的介绍 | 第24-27页 |
·本论文的研究内容及其技术路线 | 第27-28页 |
·本论文的研究意义 | 第28-29页 |
第二章 基于多孔硅一维光子晶体原理及制作方法 | 第29-50页 |
·多孔硅一维光子晶体的制备原理 | 第29-31页 |
·多孔硅一维光子晶体制备原理 | 第29-30页 |
·孔度的测量 | 第30-31页 |
·实验设备介绍 | 第31-37页 |
·电化学腐蚀设备 | 第31页 |
·基于虚拟仪器的电化学测控设备 | 第31-33页 |
·多孔硅一维光子晶体控制程序介绍 | 第33-37页 |
·多孔硅的一维光子晶体制备工艺影响因素探讨 | 第37-46页 |
·电流密度 | 第37-38页 |
·氢氟酸浓度 | 第38-40页 |
·硅衬底选择 | 第40-42页 |
·制备温度 | 第42-44页 |
·阳极氧化时间 | 第44-46页 |
·多孔硅的一维光子晶体制备工艺流程 | 第46-47页 |
·多孔硅一维光子晶体制备的可靠性问题 | 第47-50页 |
·高电流密度下的塌陷现象 | 第47-49页 |
·多孔硅一维光子晶体的表面和界面控制 | 第49-50页 |
第三章 多孔硅一维光子晶体的设计 | 第50-68页 |
·多孔硅一维光子晶体的光学常数 | 第50-51页 |
·折射率的确定 | 第50-51页 |
·薄膜厚度的确定 | 第51页 |
·多孔硅一维光子晶体的设计方法 | 第51-59页 |
·布拉格公式和传输矩阵方法介绍 | 第51-53页 |
·基于MATLAB的多孔硅一维光子晶体设计方法 | 第53-59页 |
·多孔硅一维光子晶体的模拟结果 | 第59-68页 |
·多孔硅一维光子晶体禁带分析 | 第59-62页 |
·多孔硅一维光子晶体结构的模拟 | 第62-64页 |
·多孔硅一维光子晶体缺陷结构的模拟 | 第64-68页 |
第四章 多孔硅一维光子晶体的表征 | 第68-79页 |
·高精度电子透射显微镜测试结构分析 | 第68-73页 |
·傅立叶红外光谱仪测试和分析 | 第73-76页 |
·多孔硅一维光子晶体稳定性探索 | 第76-79页 |
第五章 结论与展望 | 第79-82页 |
·结论 | 第79-80页 |
·展望 | 第80-82页 |
参考文献 | 第82-87页 |
致谢 | 第87-88页 |
攻读学位期间发表的学术论文目录 | 第88页 |