| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-12页 |
| 第一章 绪论 | 第12-37页 |
| ·电子显示器件综述 | 第12-16页 |
| ·FPD的发展简况 | 第12-14页 |
| ·常见的FPD | 第14-16页 |
| ·场发射平板显示器 | 第16-26页 |
| ·场发射显示器原理 | 第17-18页 |
| ·几种主要的场发射显示技术分析 | 第18-26页 |
| ·场发射平板显示市场前景 | 第26-33页 |
| ·我国FED器件研究的现状 | 第33-35页 |
| ·本论文的工作 | 第35-37页 |
| 第二章 多功能超高真空系统的建立 | 第37-45页 |
| ·多功能超高真空系统 | 第37-40页 |
| ·系统结构 | 第37-39页 |
| ·主要技术指标 | 第39-40页 |
| ·等离子体表面处理子系统 | 第40-41页 |
| ·场发射测试子系统 | 第41-43页 |
| ·超高真空退火子系统 | 第43-44页 |
| 本章小结 | 第44-45页 |
| 第三章 印刷法制备碳纳米管阴极及其场发射性能的改善 | 第45-73页 |
| ·引言 | 第45-48页 |
| ·丝网印刷法制备图形化的CNT阴极 | 第46-47页 |
| ·提高印刷法制备的CNT阴极电子发射性能的思路 | 第47-48页 |
| ·等离子体表面处理提高CNT阴极电子发射性能 | 第48-54页 |
| ·纳米瘤状颗粒的TEM表征 | 第49-50页 |
| ·纳米瘤状颗粒的形成 | 第50页 |
| ·等离子体表面处理改性机理 | 第50-54页 |
| ·印刷法制备的CNT膜的记忆发射效应 | 第54-61页 |
| ·CNT膜的记忆发射现象 | 第54-55页 |
| ·记忆发射现象的机理研究 | 第55-61页 |
| ·印刷法制备CNT膜与衬底接触性能的改善 | 第61-72页 |
| ·CNT膜与金属电极接触电阻的测试方法 | 第61-64页 |
| ·退火对CNT膜与衬底接触电阻的影响 | 第64-67页 |
| ·改变接触电阻对场发射性能的影响 | 第67-68页 |
| ·退火对CNT膜与衬底结合力的影响 | 第68-72页 |
| 本章小结 | 第72-73页 |
| 第四章 印刷法制备三极管器件结构 | 第73-89页 |
| ·引言 | 第73-75页 |
| ·三极管结构的实现方法 | 第75-76页 |
| ·全印刷法制备三极管结构 | 第76-83页 |
| ·全印刷法的三极管结构制备工艺改进 | 第83-87页 |
| 本章小结 | 第87-89页 |
| 第五章 CNT-FED原型器件的设计和实现 | 第89-104页 |
| ·引言 | 第89页 |
| ·器件制作的一般工艺 | 第89-92页 |
| ·阴极制作 | 第90页 |
| ·阳极制作 | 第90页 |
| ·支撑结构 | 第90-91页 |
| ·封装 | 第91-92页 |
| ·真空度的维持 | 第92页 |
| ·CNT-FED原型器件的设计与实现 | 第92-102页 |
| ·三基色显示器件 | 第92-94页 |
| ·三极管结构器件 | 第94-95页 |
| ·动态显示的数码管 | 第95-98页 |
| ·动态字符显示器件 | 第98-102页 |
| 本章小结 | 第102-104页 |
| 第六章 结论 | 第104-106页 |
| 参考文献 | 第106-116页 |
| 攻读博士学位期间发表的论文目录 | 第116-119页 |
| 攻读博士学位期间申请和授权的专利目录 | 第119-121页 |
| 致谢 | 第121-122页 |
| 个人简历 | 第122-123页 |
| 学位论文独创性和授权使用声明 | 第123页 |