| 第一章 文献综述 | 第1-28页 |
| ·引言 | 第7-8页 |
| ·ZnO薄膜的性质与研究进展 | 第8-11页 |
| ·ZnO的基本性质 | 第8-9页 |
| ·ZnO的晶体结构 | 第9-10页 |
| ·ZnO薄膜的光电特性 | 第10页 |
| ·ZnO薄膜的其他性质 | 第10-11页 |
| ·ZnO薄膜的应用 | 第11-14页 |
| ·压敏元件 | 第11页 |
| ·气敏元件 | 第11-12页 |
| ·压电器件 | 第12页 |
| ·紫外探测器 | 第12-13页 |
| ·发光器件 | 第13页 |
| ·太阳能电池 | 第13-14页 |
| ·掺杂ZnO薄膜电学性能研究进展 | 第14-17页 |
| ·ZnO薄膜禁带宽度的调节 | 第17-20页 |
| ·ZnO薄膜的制备方法 | 第20-28页 |
| ·金属有机物化学气相沉积(MOCVD) | 第20-22页 |
| ·脉冲激光沉积工艺(PLD) | 第22-23页 |
| ·分子束外延(MBE) | 第23-24页 |
| ·溶胶-凝胶法(Sol-gel) | 第24-25页 |
| ·喷雾热分解 | 第25-26页 |
| ·磁控溅射(Magnetron Sputtering) | 第26-28页 |
| 第二章 溶胶凝胶法成膜原理及工艺 | 第28-32页 |
| ·引言 | 第28页 |
| ·溶胶凝胶成膜原理 | 第28-29页 |
| ·溶胶凝胶成膜工艺 | 第29-30页 |
| ·溶胶性质对薄膜的影响 | 第30页 |
| ·工艺参数对薄膜厚度的影响 | 第30页 |
| ·工艺参数对薄膜性能的影响 | 第30-32页 |
| 第三章 磁控溅射制备薄膜原理 | 第32-38页 |
| ·溅射机理及特点 | 第32-33页 |
| ·磁控溅射原理 | 第33-35页 |
| ·溅射过程 | 第35-38页 |
| ·靶材的溅射 | 第35页 |
| ·溅射粒子的迁移过程 | 第35-36页 |
| ·溅射粒子的成膜过程 | 第36-38页 |
| 第四章 溶胶凝胶法制备Mg_xZn_(1-x)O：Al薄膜及性能表征 | 第38-46页 |
| ·引言 | 第38页 |
| ·实验设备和原料 | 第38-39页 |
| ·实验过程 | 第39-41页 |
| ·溶胶的配制 | 第39页 |
| ·镀膜 | 第39-40页 |
| ·薄膜的干燥 | 第40页 |
| ·预处理 | 第40页 |
| ·退火处理 | 第40-41页 |
| ·Mg掺杂量和热处理温度对薄膜结晶性能的影响 | 第41-42页 |
| ·Mg掺杂量和热处理温度对薄膜电学性能的影响 | 第42页 |
| ·Mg掺杂量和热处理温度对薄膜光学性能的影响 | 第42-46页 |
| 第五章 磁控溅射制备Mg_xZn_(1-x)O：Al薄膜的性能表征 | 第46-56页 |
| ·引言 | 第46页 |
| ·实验设备和过程 | 第46-48页 |
| ·实验设备 | 第46-47页 |
| ·实验过程 | 第47-48页 |
| ·薄膜性能的表征 | 第48页 |
| ·Mg掺杂量和热处理温度对薄膜结晶性能的影响 | 第48-50页 |
| ·Mg掺杂量和热处理温度对薄膜电学性能的影响 | 第50-52页 |
| ·Mg掺杂量和热处理温度对薄膜光学性能的影响 | 第52-56页 |
| 第六章 结论 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-64页 |
| 硕士期间发表的论文 | 第64-65页 |
| 致谢 | 第65页 |
