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ZnO纳米晶、纳米棒的制备及其电致发光特性的研究

摘要第1-5页
Abstract第5-10页
第一章 前言第10-38页
 1.1 宽禁带半导体第11-12页
 1.2 ZnO基半导体材料的物理特性第12-23页
  1.2.1 ZnO的晶格特性第12-14页
  1.2.2 ZnO的量子效应第14页
  1.2.3 ZnO的发光特性及光电装置第14-22页
   1.2.3.1 发光机理第14-17页
   1.2.3.2 受激辐射第17-21页
   1.2.3.3 ZnO光电装置第21-22页
  1.2.4 ZnO基材料的其他物理特性第22-23页
   1.2.4.1 ZnO的压电特性第22页
   1.2.4.2 ZnO的气敏特性第22-23页
   1.2.4.3 ZnO的压敏特性第23页
 1.3 ZnO基材料的制备第23-25页
  1.3.1 制备ZnO的途径及方法第23-25页
  1.3.2 掺杂第25页
 1.4 电致发光原理第25-32页
  1.4.1 定义及发展第26页
  1.4.2 电致发光分类第26页
  1.4.3 电致发光的物理原理第26-28页
   1.4.3.1 电致发光的激发过程第27页
   1.4.3.2 电致发光的能量传递和输运过程第27-28页
   1.4.3.3电致发光的复合过程第28页
  1.4.4 电致发光的能带理论第28-30页
  1.4.5 电场在电致发光中的作用第30-32页
   1.4.5.1 发光中心直接被场离化第30-32页
   1.4.5.2 少数载流子注入式发光第32页
   1.4.5.3 中心的碰撞离化第32页
 1.5 存在的问题及本研究的目的第32-34页
 参考文献第34-38页
第二章 介孔前驱体的制备第38-48页
 2.1 前言第38-39页
 2.2 实验部分第39-40页
  2.2.1 试剂与原料第39页
  2.2.2 制备第39页
  2.2.3 表征第39-40页
 2.3 结果和讨论第40-45页
  2.3.1 比表面及孔径分布第40-41页
  2.3.2 透射电子显微分析第41-42页
  2.3.3 X射线衍射分析第42-43页
  2.3.4 傅立叶红外光谱分析第43-44页
  2.3.5 热失重分析第44-45页
 2.4 介孔结构形成机理第45页
 2.5 结论第45-47页
 参考文献第47-48页
第三章 ZnO纳米棒的制备第48-58页
 3.1 前言第48-51页
  3.1.1 ZnO纳米棒的制备方法第48-51页
   3.1.1.1 模板法第48-50页
   3.1.1.2 气相合成法第50-51页
 3.2 实验部分第51-52页
  3.2.1 试剂与原料第51页
  3.2.2 制备第51-52页
  3.2.3 表征第52页
 3.3 结果与讨论第52-55页
  3.3.1 X射线衍射分析第52-53页
  3.3.2 光学显微分析第53-54页
  3.3.3 扫描电子显微分析第54-55页
 3.4 结论第55-56页
 参考文献第56-58页
第四章 电致发光测试第58-69页
 4.1 引言第58页
 4.2 电致发光粉体的制备第58-60页
  4.2.1 由介孔前驱体制备ZnO电致发光材料第59页
  4.2.2 ZnO纳米棒电致发光材料第59-60页
 4.3 表征第60页
 4.4 器件的组装第60-61页
 4.5 结果与讨论第61-67页
  4.5.1 X射线衍射分析第61页
  4.5.2 傅立叶红外光谱分析第61-62页
  4.5.3 电致发光测试第62-66页
  4.5.4 衰减曲线第66页
  4.5.5 ZnO纳米棒的电致发光特性第66-67页
 4.6 本章小结第67-68页
 参考文献第68-69页
第五章 全文总结第69-71页
 5.1 所做的主要工作和技术创新点第69-70页
 5.2 今后相关研究的设想第70-71页
攻读硕士学位期间完成的论文与专利第71-72页
致谢第72-73页

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