| 第一章 绪论 | 第1-15页 |
| 1．1 研究背景和意义 | 第12-14页 |
| 1．2 本文的主要研究工作 | 第14页 |
| 1．3 本论文的内容安排 | 第14-15页 |
| 第二章 微波放大器非线性响应的分析方法 | 第15-21页 |
| 2．1 几种常用分析方法简介 | 第15-17页 |
| 2．2 时域法分析非线性电路的实例 | 第17-21页 |
| 第三章 微波 GaAsFET放大器非线性耦合效应的时域分析 | 第21-39页 |
| 3．1 微波砷化镓场效应管(GaAsFET)简介 | 第21-22页 |
| 3．2 微波 GaAsFET的Curtice-3非线性模型 | 第22-24页 |
| 3．3 微波GaAsFET放大器的时域法分析 | 第24-38页 |
| 3．3．1 微波 GaAsFET放大器的简化非线性模型和状态方程 | 第25-28页 |
| 3．3．2 不存在正向耦合情况下微波 GaAsFET放大器的非线性响应 | 第28-32页 |
| 3 3．3 存在正向耦合情况下微波 GaAsFET放大器的非线性响应 | 第32-38页 |
| 3．4 本章小结 | 第38-39页 |
| 第四章 时域有限差分法(FDTD)简介 | 第39-47页 |
| 4．1 Yee氏网格 | 第39-40页 |
| 4．2 Maxwell旋度方程的差分展开 | 第40-42页 |
| 4．3 FDTD法的数值稳定分析 | 第42页 |
| 4．4 FDTD法的数值色散分析 | 第42-43页 |
| 4．5 吸收边界条件 | 第43-44页 |
| 4．6 连接边界条件——激励源的引入 | 第44-45页 |
| 4．7 FDTD对集中元件的处理 | 第45-47页 |
| 第五章 微波 GaAsFET放大器中的空间电磁能量耦合的数值仿真计算 | 第47-53页 |
| 5．1 数值仿真模型 | 第47-48页 |
| 5．2 微带电路中空间电磁能量耦合数值仿真 | 第48-50页 |
| 5．3 输出端至输入端微带电路之间电压耦合系数的计算 | 第50-52页 |
| 5．4 本章小结 | 第52-53页 |
| 第六章 结论与展望 | 第53-55页 |
| 参考文献 | 第55-59页 |
| 攻读硕士学位期间的科研成果和获奖情况 | 第59-60页 |
| 致谢 | 第60页 |
