| 摘要 | 第1-4页 |
| 英文摘要 | 第4-6页 |
| 目录 | 第6-9页 |
| 第一章 引言 | 第9-16页 |
| 第二章 宽带Ⅱ-Ⅵ族半导体及量子点研究与发展概况 | 第16-34页 |
| ·宽带Ⅱ-Ⅵ族半导体的基本性质与研究进展 | 第16-21页 |
| ·Ⅱ-Ⅵ族半导体的基本性质 | 第16-18页 |
| ·宽带Ⅱ-Ⅵ族半导体的发展概况 | 第18-21页 |
| ·半导体量子点的基本性质与制备方法 | 第21-25页 |
| ·半导体量子点的基本性质 | 第21-23页 |
| ·半导体量子点的制备方法 | 第23-25页 |
| ·在Si衬底上外延生长Ⅱ-Ⅵ族半导体的进展 | 第25-29页 |
| ·Si基发光材料的发展概况 | 第25-27页 |
| ·在Si衬底上外延生长宽带Ⅱ-Ⅵ族半导体的研究进展 | 第27-29页 |
| 参考文献 | 第29-34页 |
| 第三章 实验样品的制备与表征 | 第34-45页 |
| ·生长制备系统 | 第34-38页 |
| ·常规MOCVD系统 | 第34-37页 |
| ·光助MOCVD系统 | 第37-38页 |
| ·物理测量 | 第38-43页 |
| ·X-射线衍射 | 第38-39页 |
| ·扫描电子显微镜 | 第39-42页 |
| ·光致发光 | 第42-43页 |
| 参考文献 | 第43-45页 |
| 第四章 光助MOCVD系统的改造及光助MOCVD生长ZnSe，ZnSe:N薄膜 | 第45-59页 |
| ·光助MOCVD系统的改造 | 第46-49页 |
| ·光助MOCVD生长ZnSe薄膜 | 第49-55页 |
| ·光助MOCVDZnSe薄膜的制备 | 第49页 |
| ·光助MOCVDZnSe薄膜的表征 | 第49-53页 |
| ·光助的生长机理 | 第53-55页 |
| ·光助MOCVD生长ZnSe:N薄膜 | 第55-56页 |
| ·本章小结 | 第56页 |
| 参考文献 | 第56-59页 |
| 第五章 Si衬底上ZnS薄膜的低压MOCVD生长 | 第59-73页 |
| ·衬底的清洗处理 | 第59-61页 |
| ·Si衬底上ZnS薄膜的制备和表征 | 第61-69页 |
| ·Si衬底上ZnS薄膜的制备过程 | 第62-63页 |
| ·Si衬底上ZnS薄膜的表征 | 第63-67页 |
| ·Si衬底上生长ZnS薄膜的理论分析 | 第67-69页 |
| ·本章小结 | 第69页 |
| 参考文献 | 第69-73页 |
| 第六章 Si衬底上ZnSe薄膜的低压MOCVD生长 | 第73-84页 |
| ·Si衬底上ZnSe薄膜的制备 | 第74-75页 |
| ·Si衬底上ZnSe薄膜的表征 | 第75-81页 |
| ·本章小结 | 第81页 |
| 参考文献 | 第81-84页 |
| 第七章 Si衬底上低压MOCVD生长ZnSe量子点 | 第84-96页 |
| ·半导体量子点制备的外延生长方法 | 第85-86页 |
| ·Si衬底上V-W模式ZnSe／ZnS量子点结构的制备 | 第86-88页 |
| ·Si衬底上V-W模式ZnSe／ZnS量子点结构的表征 | 第88-91页 |
| ·本章小结 | 第91-92页 |
| 参考文献 | 第92-96页 |
| 第八章 结论 | 第96-99页 |
| 附录 | 第99-102页 |
| 主要工作 | 第99页 |
| 发表的论文 | 第99-101页 |
| 个人简历 | 第101-102页 |
| 致谢 | 第102页 |
