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CVD SiC涂层缺陷控制与C/SiC复合材料氧化行为研究

摘要第1-5页
Abstract第5-9页
第一章 绪论第9-25页
   ·C/SiC复合材料第9-10页
   ·C/SiC复合材料的应用第10页
   ·C/SiC复合材料的制备第10-11页
   ·C/SiC复合材料的氧化防护第11-20页
     ·C/SiC复合材料的涂层防氧化第12-14页
       ·涂层防氧化的设计思路第12页
       ·防氧化涂层的要求第12-13页
       ·防氧化涂层材料第13-14页
     ·C/SiC复合材料的氧化研究第14-16页
     ·国内外涂层改性研究现状第16-18页
       ·等离子注入第16页
       ·玻璃封填裂纹第16-17页
       ·使用难熔贵金属外涂层第17-18页
       ·浓度梯度层+外封填层第18页
     ·多层涂层沉积缺陷形成机制第18-20页
   ·本文的选题依据和研究目标第20-21页
   ·研究内容第21页
 参考文献第21-25页
第二章 试样制备与实验过程第25-30页
   ·试样制备第25-27页
     ·原材料第25页
     ·SiC-C/SiC复合材料试样的制备过程第25-27页
   ·实验过程与实验设备第27页
     ·间歇称重氧化第27页
     ·热重法实时氧化第27页
   ·实验分析第27-28页
     ·复合材料力学性能测试第27-28页
     ·涂层表面和断口的显微分析第28页
     ·涂层表面物相鉴定与晶型分析第28页
   ·研究方法第28-29页
 参考文献第29-30页
第三章 涂层磨削+LPCVD SiC改性对涂层缺陷和C/SiC氧化行为的影响第30-38页
   ·前言第30-31页
   ·实验过程第31页
     ·试样制备第31页
     ·氧化实验第31页
   ·表面磨削+LPCVD SiC改性涂层的微结构特点第31-34页
   ·表面磨削+LPCVD SiC改性对2D C/SiC氧化行为的影响第34-36页
   ·本章小结第36-37页
 参考文献第37-38页
第四章 涂层磨削结合高温真空热处理对涂层缺陷和C/SiC氧化行为的影响第38-45页
   ·前言第38页
   ·实验过程第38-39页
     ·试样制备第38-39页
     ·氧化试验第39页
   ·磨削结合高温真空热处理改性后涂层的微结构特点第39-40页
   ·磨削结合真空热处理涂层改性对C/SiC氧化行为的影响第40-43页
   ·磨削结合真空热热处理涂层改性的C/SiC在空气中氧化10h后残余强度与失重率的关系第43-44页
   ·本章小结第44页
 参考文献第44-45页
第五章 涂层高温氮化+LPCVD SiC改性对涂层缺陷和2D C/SiC氧化行为的影响第45-54页
   ·前言第45页
   ·实验过程第45-47页
     ·氮化温度的确定第45-46页
     ·试样制备第46-47页
     ·氧化试验第47页
   ·氮化改性后的涂层微结构特点第47-49页
   ·涂层高温氮化改性对2D C/SiC氧化行为的影响第49-51页
   ·高温处理对涂层的影响第51-52页
   ·本章小结第52页
 参考文献第52-54页
第六章 慢速沉积涂层工艺对涂层缺陷控制和2D C/SiC氧化行为的影响第54-65页
   ·前言第54-55页
   ·实验过程第55-56页
     ·试样制备第55页
     ·氧化实验第55页
     ·X-射线衍射与显微分析第55-56页
   ·慢速沉积涂层的显微结构第56-57页
   ·慢速沉积对涂层间隙的控制机制第57-58页
   ·慢速沉积多层涂层的2D SiC-C/SiC的氧化行为第58-63页
   ·2D SiC-C/SiC氧化15h后的性能第63-64页
   ·本章小结第64-65页
参考文献第65-67页
结论第67-69页
致谢第69-70页

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