摘要 | 第1-5页 |
Abstract | 第5-9页 |
第一章 绪论 | 第9-25页 |
·C/SiC复合材料 | 第9-10页 |
·C/SiC复合材料的应用 | 第10页 |
·C/SiC复合材料的制备 | 第10-11页 |
·C/SiC复合材料的氧化防护 | 第11-20页 |
·C/SiC复合材料的涂层防氧化 | 第12-14页 |
·涂层防氧化的设计思路 | 第12页 |
·防氧化涂层的要求 | 第12-13页 |
·防氧化涂层材料 | 第13-14页 |
·C/SiC复合材料的氧化研究 | 第14-16页 |
·国内外涂层改性研究现状 | 第16-18页 |
·等离子注入 | 第16页 |
·玻璃封填裂纹 | 第16-17页 |
·使用难熔贵金属外涂层 | 第17-18页 |
·浓度梯度层+外封填层 | 第18页 |
·多层涂层沉积缺陷形成机制 | 第18-20页 |
·本文的选题依据和研究目标 | 第20-21页 |
·研究内容 | 第21页 |
参考文献 | 第21-25页 |
第二章 试样制备与实验过程 | 第25-30页 |
·试样制备 | 第25-27页 |
·原材料 | 第25页 |
·SiC-C/SiC复合材料试样的制备过程 | 第25-27页 |
·实验过程与实验设备 | 第27页 |
·间歇称重氧化 | 第27页 |
·热重法实时氧化 | 第27页 |
·实验分析 | 第27-28页 |
·复合材料力学性能测试 | 第27-28页 |
·涂层表面和断口的显微分析 | 第28页 |
·涂层表面物相鉴定与晶型分析 | 第28页 |
·研究方法 | 第28-29页 |
参考文献 | 第29-30页 |
第三章 涂层磨削+LPCVD SiC改性对涂层缺陷和C/SiC氧化行为的影响 | 第30-38页 |
·前言 | 第30-31页 |
·实验过程 | 第31页 |
·试样制备 | 第31页 |
·氧化实验 | 第31页 |
·表面磨削+LPCVD SiC改性涂层的微结构特点 | 第31-34页 |
·表面磨削+LPCVD SiC改性对2D C/SiC氧化行为的影响 | 第34-36页 |
·本章小结 | 第36-37页 |
参考文献 | 第37-38页 |
第四章 涂层磨削结合高温真空热处理对涂层缺陷和C/SiC氧化行为的影响 | 第38-45页 |
·前言 | 第38页 |
·实验过程 | 第38-39页 |
·试样制备 | 第38-39页 |
·氧化试验 | 第39页 |
·磨削结合高温真空热处理改性后涂层的微结构特点 | 第39-40页 |
·磨削结合真空热处理涂层改性对C/SiC氧化行为的影响 | 第40-43页 |
·磨削结合真空热热处理涂层改性的C/SiC在空气中氧化10h后残余强度与失重率的关系 | 第43-44页 |
·本章小结 | 第44页 |
参考文献 | 第44-45页 |
第五章 涂层高温氮化+LPCVD SiC改性对涂层缺陷和2D C/SiC氧化行为的影响 | 第45-54页 |
·前言 | 第45页 |
·实验过程 | 第45-47页 |
·氮化温度的确定 | 第45-46页 |
·试样制备 | 第46-47页 |
·氧化试验 | 第47页 |
·氮化改性后的涂层微结构特点 | 第47-49页 |
·涂层高温氮化改性对2D C/SiC氧化行为的影响 | 第49-51页 |
·高温处理对涂层的影响 | 第51-52页 |
·本章小结 | 第52页 |
参考文献 | 第52-54页 |
第六章 慢速沉积涂层工艺对涂层缺陷控制和2D C/SiC氧化行为的影响 | 第54-65页 |
·前言 | 第54-55页 |
·实验过程 | 第55-56页 |
·试样制备 | 第55页 |
·氧化实验 | 第55页 |
·X-射线衍射与显微分析 | 第55-56页 |
·慢速沉积涂层的显微结构 | 第56-57页 |
·慢速沉积对涂层间隙的控制机制 | 第57-58页 |
·慢速沉积多层涂层的2D SiC-C/SiC的氧化行为 | 第58-63页 |
·2D SiC-C/SiC氧化15h后的性能 | 第63-64页 |
·本章小结 | 第64-65页 |
参考文献 | 第65-67页 |
结论 | 第67-69页 |
致谢 | 第69-70页 |