单片开关电源管理集成电路设计
| 中文摘要 | 第1-5页 |
| 英文摘要 | 第5-7页 |
| 目录 | 第7-9页 |
| 第一章 引言 | 第9-14页 |
| 1．1 管理IC在开关电源中的应用 | 第9-10页 |
| 1．2 开关电源管理IC发展现状 | 第10-12页 |
| 1．3 本文主要工作 | 第12-14页 |
| 第二章 电路原理与仿真 | 第14-40页 |
| 2．1 整体电路的设计 | 第14-18页 |
| 2．1．1 PWM控制方式基本工作原理 | 第14-15页 |
| 2．1．2 电路的整体结构设计 | 第15-18页 |
| 2．2 各功能电路的设计与仿真 | 第18-34页 |
| 2．2．1 振荡发生电路 | 第19页 |
| 2．2．2 基准电压源和过热保护电路 | 第19-23页 |
| 2．2．3 运算放大电路 | 第23-25页 |
| 2．2．4 前沿消隐与过流保护电路 | 第25-27页 |
| 2．2．5 PWM比较器电路 | 第27-30页 |
| 2．2．6 上电复位电路 | 第30-31页 |
| 2．2．7 LDMOS栅驱动电路 | 第31-33页 |
| 2．2．8 其它电路 | 第33-34页 |
| 2．3 整体电路工作过程 | 第34-38页 |
| 2．4 本章小结 | 第38-40页 |
| 第三章 高压横向MOS器件的设计 | 第40-51页 |
| 3．1 概述 | 第40-44页 |
| 3．2 扩散耐压层LDMOS设计 | 第44-50页 |
| 3．2．1 器件结构 | 第45-47页 |
| 3．2．2 P衬底浓度和N阱浓度的确定 | 第47-48页 |
| 3．2．3 P~-降场层浓度与长度的确定 | 第48-49页 |
| 3．2．4 导通电阻的模拟 | 第49-50页 |
| 3．3 本章小结 | 第50-51页 |
| 第四章 工艺与版图设计 | 第51-59页 |
| 4．1 工艺设计 | 第51-55页 |
| 4．1．1 电路中器件的结构 | 第51-54页 |
| 4．1．2 工艺流程设计 | 第54-55页 |
| 4．2 版图设计 | 第55-58页 |
| 4．2．1 版图设计规则 | 第55-56页 |
| 4．2．2 部分版图 | 第56-58页 |
| 4．3 本章小结 | 第58-59页 |
| 第五章 结论 | 第59-61页 |
| 参考文献 | 第61-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |
| 附录 | 第65-69页 |
