| 内容摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-9页 |
| 目录 | 第9-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-15页 |
| ·引言 | 第11页 |
| ·研究背景和意义 | 第11-13页 |
| ·本论文的结构安排 | 第13-14页 |
| 参考文献 | 第14-15页 |
| 第二章 基于低温缓冲层技术的InP/GaAs外延生长机理研究 | 第15-47页 |
| ·引言 | 第15页 |
| ·外延生长技术与测试技术简介 | 第15-26页 |
| ·金属有机化学气相沉积 | 第15-18页 |
| ·晶体生长质量的测试方法 | 第18-26页 |
| ·大失配异质外延基本理论模型 | 第26-28页 |
| ·低温InP的特殊表面形貌 | 第28-36页 |
| ·实验结果 | 第29-32页 |
| ·分析与讨论 | 第32-36页 |
| ·双低温缓冲层的力学形变效应 | 第36-41页 |
| ·实验结果 | 第36-38页 |
| ·分析与讨论 | 第38-41页 |
| ·本章小结 | 第41-42页 |
| 参考文献 | 第42-47页 |
| 第三章 InP/GaAs横向异质外延和生长模型研究 | 第47-65页 |
| ·引言 | 第47-48页 |
| ·InP/GaAs的ELOG实验方案 | 第48-49页 |
| ·特殊表面形貌分析 | 第49-52页 |
| ·Ⅴ/Ⅲ比和掩膜宽度的影响 | 第49-51页 |
| ·生长时间的影响 | 第51-52页 |
| ·生长动力学的数值模拟 | 第52-61页 |
| ·气相扩散生长速率 | 第53-56页 |
| ·表面迁移速率 | 第56-58页 |
| ·结论 | 第58-61页 |
| ·本章小结 | 第61-63页 |
| 参考文献 | 第63-65页 |
| 第四章 特殊Ⅲ-Ⅴ化合物的第一性原理研究 | 第65-95页 |
| ·引言 | 第65页 |
| ·第一性原理计算 | 第65-78页 |
| ·BAs在Ⅲ-Ⅴ族中的特殊性 | 第78-82页 |
| ·半金属化合物:Ⅲ-Bi和Tl-Ⅴ | 第82-90页 |
| ·本章小结 | 第90-91页 |
| 参考文献 | 第91-95页 |
| 第五章 GaAs基新合金材料的第一性原理研究 | 第95-110页 |
| ·引言 | 第95页 |
| ·模型与计算方法 | 第95-102页 |
| ·虚晶近似 | 第96-100页 |
| ·团簇近似 | 第100-102页 |
| ·结构和电学特性 | 第102-106页 |
| ·本章小结 | 第106-107页 |
| 参考文献 | 第107-110页 |
| 第六章 BGaAs化合物的LP-MOCVD生长实验 | 第110-123页 |
| ·引言 | 第110页 |
| ·硼源的选择 | 第110-113页 |
| ·BGaAs生长方案 | 第113-114页 |
| ·B组分的测量 | 第114-116页 |
| ·结果分析 | 第116-120页 |
| 参考文献 | 第120-123页 |
| 第七章 总结 | 第123-126页 |
| 致谢 | 第126-127页 |
| 攻读博士学位期间已经发表的学术论文 | 第127页 |
