摘要 | 第1-6页 |
ABSTRACT | 第6-12页 |
第一章 绪论 | 第12-44页 |
·纳米薄膜材料研究概述 | 第12-19页 |
·概述 | 第12页 |
·薄膜的定义 | 第12-13页 |
·薄膜的特征 | 第13-15页 |
·薄膜的制备技术 | 第15-18页 |
·薄膜的应用 | 第18-19页 |
·光存储材料 | 第19-23页 |
·概述 | 第19页 |
·磁光存储材料 | 第19-20页 |
·色心存储材料 | 第20页 |
·光子选通光谱烧孔材料 | 第20-22页 |
·电子俘获型掺稀土光存储材料 | 第22-23页 |
·场致电子发射理论 | 第23-37页 |
·概述 | 第23-24页 |
·场致电子发射的几个相关概念 | 第24-26页 |
·电子的发射 | 第26-32页 |
·介质薄膜场致电子发射 | 第32-33页 |
·电子在薄膜体内的传导 | 第33-34页 |
·场致电子发射研究历史、现状 | 第34-35页 |
·场发射的应用及进展 | 第35-37页 |
·选题依据与主要研究内容 | 第37-39页 |
·选题依据与意义 | 第37-38页 |
·主要研究内容 | 第38-39页 |
参考文献 | 第39-44页 |
第二章 氮化铜薄膜的研究进展及现状 | 第44-64页 |
·引言 | 第44-45页 |
·氮化铜的晶体结构及其特性 | 第45-46页 |
·氮化铜薄膜的形貌特征 | 第46-47页 |
·氮化铜薄膜的电学性能 | 第47-52页 |
·氮化铜薄膜的光学性能 | 第52-54页 |
·氮化铜薄膜的热稳定性能 | 第54页 |
·氮化铜薄膜的力学性能和耐腐蚀性能 | 第54-55页 |
·H对薄膜生长行为的影响 | 第55页 |
·Cu_3N薄膜中Cu,N离子的状态 | 第55-57页 |
·氮化铜薄膜的应用前景 | 第57-61页 |
参考文献 | 第61-64页 |
第三章 材料的制备与表征 | 第64-84页 |
·气相沉积技术 | 第64-66页 |
·气相沉积技术分类 | 第64-65页 |
·气相沉积的特点 | 第65-66页 |
·气相沉积技术的应用 | 第66页 |
·磁控溅射技术 | 第66-73页 |
·溅射原理 | 第66-68页 |
·磁控溅射 | 第68-70页 |
·反应磁控溅射 | 第70-72页 |
·中频磁控溅射 | 第72-73页 |
·实验设备介绍 | 第73-75页 |
·论文涉及的表征方法 | 第75-82页 |
·X射线衍射(XRD) | 第75-76页 |
·傅立叶变换红外(FTIR)光谱 | 第76页 |
·Raman光谱 | 第76-77页 |
·X射线光电子能谱(XPS) | 第77-78页 |
·扫描电子显微镜(SEM) | 第78-79页 |
·紫外可见分光光度计(UV-Vis) | 第79-80页 |
·热重分析 | 第80页 |
·AFM | 第80-82页 |
参考文献 | 第82-84页 |
第四章 氮化铜薄膜的制备和性能研究 | 第84-104页 |
·样品的制备与表征 | 第84-85页 |
·实验设备 | 第84页 |
·样品的制备与表征 | 第84-85页 |
·不同条件下制备Cu_3N纳米薄膜的晶体结构和形貌 | 第85-93页 |
·Cu_3N纳米薄膜的晶体结构 | 第86-89页 |
·氮化铜纳米薄膜的表面、断面形貌 | 第89-93页 |
·Cu_3N薄膜的热稳定性 | 第93-94页 |
·Cu_3N薄膜的光学性能 | 第94-96页 |
·Cu_3N薄膜的电学性能 | 第96-98页 |
·Cu_3N薄膜中Cu、N离子的状态 | 第98-100页 |
·小结 | 第100-102页 |
参考文献 | 第102-104页 |
第五章 氮化铜薄膜场发射研究 | 第104-120页 |
·场发射测试装置 | 第105-106页 |
·氮化铜薄膜场发射测试 | 第106-109页 |
·铜含量增加对氮化铜场发射的影响 | 第109-111页 |
·氮化铜场发射性质分析 | 第111-115页 |
·肖特基发射 | 第112-113页 |
·SCLC效应 | 第113-114页 |
·SCLC+PF效应 | 第114-115页 |
·小结 | 第115-116页 |
参考文献 | 第116-120页 |
第六章 总结与展望 | 第120-124页 |
博士期间发表的成果 | 第124-126页 |
致谢 | 第126页 |