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射频反应磁控溅射制备氮化铜纳米薄膜及其场发射性能研究

摘要第1-6页
ABSTRACT第6-12页
第一章 绪论第12-44页
   ·纳米薄膜材料研究概述第12-19页
     ·概述第12页
     ·薄膜的定义第12-13页
     ·薄膜的特征第13-15页
     ·薄膜的制备技术第15-18页
     ·薄膜的应用第18-19页
   ·光存储材料第19-23页
     ·概述第19页
     ·磁光存储材料第19-20页
     ·色心存储材料第20页
     ·光子选通光谱烧孔材料第20-22页
     ·电子俘获型掺稀土光存储材料第22-23页
   ·场致电子发射理论第23-37页
     ·概述第23-24页
     ·场致电子发射的几个相关概念第24-26页
     ·电子的发射第26-32页
     ·介质薄膜场致电子发射第32-33页
     ·电子在薄膜体内的传导第33-34页
     ·场致电子发射研究历史、现状第34-35页
     ·场发射的应用及进展第35-37页
   ·选题依据与主要研究内容第37-39页
     ·选题依据与意义第37-38页
     ·主要研究内容第38-39页
 参考文献第39-44页
第二章 氮化铜薄膜的研究进展及现状第44-64页
   ·引言第44-45页
   ·氮化铜的晶体结构及其特性第45-46页
   ·氮化铜薄膜的形貌特征第46-47页
   ·氮化铜薄膜的电学性能第47-52页
   ·氮化铜薄膜的光学性能第52-54页
   ·氮化铜薄膜的热稳定性能第54页
   ·氮化铜薄膜的力学性能和耐腐蚀性能第54-55页
   ·H对薄膜生长行为的影响第55页
   ·Cu_3N薄膜中Cu,N离子的状态第55-57页
   ·氮化铜薄膜的应用前景第57-61页
 参考文献第61-64页
第三章 材料的制备与表征第64-84页
   ·气相沉积技术第64-66页
       ·气相沉积技术分类第64-65页
       ·气相沉积的特点第65-66页
       ·气相沉积技术的应用第66页
   ·磁控溅射技术第66-73页
       ·溅射原理第66-68页
       ·磁控溅射第68-70页
       ·反应磁控溅射第70-72页
       ·中频磁控溅射第72-73页
   ·实验设备介绍第73-75页
   ·论文涉及的表征方法第75-82页
     ·X射线衍射(XRD)第75-76页
     ·傅立叶变换红外(FTIR)光谱第76页
     ·Raman光谱第76-77页
     ·X射线光电子能谱(XPS)第77-78页
     ·扫描电子显微镜(SEM)第78-79页
     ·紫外可见分光光度计(UV-Vis)第79-80页
     ·热重分析第80页
     ·AFM第80-82页
 参考文献第82-84页
第四章 氮化铜薄膜的制备和性能研究第84-104页
   ·样品的制备与表征第84-85页
     ·实验设备第84页
     ·样品的制备与表征第84-85页
   ·不同条件下制备Cu_3N纳米薄膜的晶体结构和形貌第85-93页
     ·Cu_3N纳米薄膜的晶体结构第86-89页
     ·氮化铜纳米薄膜的表面、断面形貌第89-93页
   ·Cu_3N薄膜的热稳定性第93-94页
   ·Cu_3N薄膜的光学性能第94-96页
   ·Cu_3N薄膜的电学性能第96-98页
   ·Cu_3N薄膜中Cu、N离子的状态第98-100页
   ·小结第100-102页
 参考文献第102-104页
第五章 氮化铜薄膜场发射研究第104-120页
   ·场发射测试装置第105-106页
   ·氮化铜薄膜场发射测试第106-109页
   ·铜含量增加对氮化铜场发射的影响第109-111页
   ·氮化铜场发射性质分析第111-115页
     ·肖特基发射第112-113页
     ·SCLC效应第113-114页
     ·SCLC+PF效应第114-115页
   ·小结第115-116页
 参考文献第116-120页
第六章 总结与展望第120-124页
博士期间发表的成果第124-126页
致谢第126页

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