| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-27页 |
| ·引言 | 第8-10页 |
| ·纳米薄膜材料的光学性质 | 第10-11页 |
| ·Ge 纳米晶复合薄膜的研究现状 | 第11-16页 |
| ·镶嵌有Ge 纳米晶复合薄膜的制备方法 | 第16-21页 |
| ·溅射法(Sputtering) | 第16-17页 |
| ·分子束外延(MBE) | 第17-18页 |
| ·离子注入（Ion implantation） | 第18-19页 |
| ·化学气相沉积法(CVD) | 第19-20页 |
| ·溶胶-凝胶法(Sol-Gel) | 第20-21页 |
| ·半导体纳米材料几种经典的发光模型 | 第21-23页 |
| ·量子限域效应—发光中心模型 | 第21-22页 |
| ·与氧缺陷有关的发光模型 | 第22页 |
| ·界面层中的激子效应发光模型 | 第22-23页 |
| ·直接跃迁发光模型 | 第23页 |
| ·本文章的研究思路和主要内容 | 第23-25页 |
| 参考文献 | 第25-27页 |
| 第二章Ge 纳米晶复合薄膜制备与表征 | 第27-37页 |
| ·脉冲激光沉积法(PLD) | 第27-29页 |
| ·脉冲激光沉积法的原理 | 第27-28页 |
| ·脉冲激光沉积法的特点 | 第28-29页 |
| ·Ge 纳米晶复合薄膜的制备 | 第29-32页 |
| ·脉冲激光沉积系统的结构 | 第29-31页 |
| ·衬底 | 第31页 |
| ·靶材 | 第31-32页 |
| ·样品的处理 | 第32页 |
| ·Ge 纳米晶复合薄膜的表征 | 第32-36页 |
| ·X 射线衍射（XRD） | 第32-33页 |
| ·透射电子显微镜（TEM） | 第33-34页 |
| ·光致荧光谱(PL) | 第34-36页 |
| 参考文献 | 第36-37页 |
| 第三章 Ge 纳米晶的结构和表征 | 第37-45页 |
| ·Rietveld 方法原理的介绍 | 第37-39页 |
| ·Rieveld 结构精修的基本条件 | 第39页 |
| ·薄膜XRD 谱线分析与讨论 | 第39-44页 |
| 参考文献 | 第44-45页 |
| 第四章 Ge 纳米晶复合薄膜的光致发光特性 | 第45-50页 |
| ·Ge/Lu_2O_3复合薄膜光致发光谱 | 第45-47页 |
| ·Ge/Lu_2O_3、Ge/ SiO_2光致发光谱比较 | 第47-49页 |
| 参考文献 | 第49-50页 |
| 第五章 结论 | 第50-51页 |
| 在硕士期间公开发表论文及著作情况 | 第51-52页 |
| 致谢 | 第52页 |