| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-24页 |
| ·引言 | 第8页 |
| ·纳米材料的物理性质 | 第8-11页 |
| ·尺寸效应 | 第8-10页 |
| ·小尺寸效应 | 第10页 |
| ·宏观量子隧道效应 | 第10页 |
| ·介电限域效应 | 第10-11页 |
| ·锗纳米晶的力学性质及研究现状 | 第11-15页 |
| ·镶嵌在SiO_2 介电基体中Ge 纳米晶体的制备方法 | 第15-19页 |
| ·溶胶-凝胶法(Sol-Gel) | 第15-16页 |
| ·溅射法（Sputtering） | 第16-17页 |
| ·分子束外延（MBE） | 第17-18页 |
| ·化学气相沉积法(CVD) | 第18-19页 |
| ·离子注入法（Ion implantation） | 第19页 |
| ·半导体纳米材料几种经典的发光模型 | 第19-21页 |
| ·量子限域效应发光模型 | 第20页 |
| ·与氧缺陷有关的发光模型 | 第20-21页 |
| ·界面层中激子效应发光模型 | 第21页 |
| ·本文章的主要研究意义、内容及目的 | 第21-24页 |
| 第二章 脉冲激光沉积技术 | 第24-30页 |
| ·脉冲激光沉积技术的发展简史 | 第24页 |
| ·脉冲激光沉积系统的结构 | 第24-26页 |
| ·脉冲激光沉积技术的原理 | 第26-29页 |
| ·脉冲激光沉积技术的优点、缺点 | 第29-30页 |
| 第三章 镶嵌在不同介电基体中的锗纳米晶体的制备及表征 | 第30-33页 |
| ·Ge 纳米晶体的PLD 制备 | 第30-31页 |
| ·衬底 | 第30页 |
| ·靶材 | 第30-31页 |
| ·工艺参数 | 第31页 |
| ·实验设备 | 第31页 |
| ·沉积与退火处理 | 第31页 |
| ·本文用到的表征技术 | 第31-33页 |
| ·X 射线衍射（XRD） | 第31-32页 |
| ·透射电子显微镜（TEM） | 第32页 |
| ·光致发光 | 第32-33页 |
| 第四章 Ge 纳米晶体的结构分析 | 第33-44页 |
| ·Ge 纳米晶体的TEM 分析 | 第33-36页 |
| ·Ge 纳米晶体的Rietveld 精修分析 | 第36-44页 |
| ·Rietveld 方法原理的介绍 | 第37-38页 |
| ·Rietveld 结构精修的基本条件 | 第38-39页 |
| ·Ge 纳米晶体的 XRD 图 | 第39-44页 |
| 第五章 Ge 纳米晶体有限元及光致发光分析 | 第44-52页 |
| ·ANSYS 有限元分析 | 第44-50页 |
| ·ANSYS 软件 | 第44-46页 |
| ·结果分析 | 第46-50页 |
| ·Ge 纳米晶体的光致发光分析 | 第50-52页 |
| 第六章 总结 | 第52-53页 |
| 参考文献 | 第53-57页 |
| 在学期间公开发表论文及著作情况 | 第57-58页 |
| 致谢 | 第58页 |