PMOS辐照检测传感器的研究
| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-13页 |
| ·PMOS 辐照检测传感器简介 | 第9-11页 |
| ·基本原理 | 第9页 |
| ·应用领域 | 第9-10页 |
| ·主要特点 | 第10页 |
| ·研究历史与现状 | 第10-11页 |
| ·课题研究的背景和意义 | 第11-12页 |
| ·研究背景 | 第11-12页 |
| ·研究意义 | 第12页 |
| ·论文研究的主要内容 | 第12-13页 |
| 第二章 PMOS 辐照检测传感器的基本理论 | 第13-30页 |
| ·MOS 二极管 | 第13-17页 |
| ·理想MOS 二极管 | 第13-16页 |
| ·实际MOS 二极管 | 第16-17页 |
| ·MOS 二极管的总剂量辐照效应 | 第17-21页 |
| ·辐照诱生电子-空穴对 | 第17-18页 |
| ·电子空穴对的复合 | 第18页 |
| ·逃脱复合的空穴产额 | 第18-20页 |
| ·MOS 二极管的辐照过程 | 第20-21页 |
| ·PMOS 辐照检测传感器 | 第21-29页 |
| ·辐照诱生氧化物陷阱电荷 | 第21-22页 |
| ·界面态陷阱电荷 | 第22-24页 |
| ·阈值电压漂移的模型 | 第24-26页 |
| ·阈值电压漂移的模拟 | 第26-29页 |
| ·本章小结 | 第29-30页 |
| 第三章 双介质栅PMOS 辐照检测传感器 | 第30-40页 |
| ·器件结构 | 第30页 |
| ·辐照过程 | 第30-33页 |
| ·电荷的产生 | 第31-32页 |
| ·电荷的俘获 | 第32-33页 |
| ·阈值电压的漂移 | 第33页 |
| ·阈值电压漂移的模拟 | 第33-39页 |
| ·介质厚度对ΔVth 的影响 | 第34-35页 |
| ·偏置电压对ΔVth 的影响 | 第35-36页 |
| ·退火效应对ΔVth 的影响 | 第36-37页 |
| ·辐照总剂量对ΔVth 的影响 | 第37-39页 |
| ·辐照剂量率对ΔVth 的影响 | 第39页 |
| ·本章小结 | 第39-40页 |
| 第四章 多管级联PMOS 辐照检测传感器 | 第40-46页 |
| ·级联方式 | 第40页 |
| ·阈值电压的漂移 | 第40-42页 |
| ·多管共衬级联阈值漂移特性 | 第42-43页 |
| ·多管不共衬级联阈值漂移特性 | 第43-45页 |
| ·本章小结 | 第45-46页 |
| 第五章 高灵敏度PMOS 辐照检测传感器 | 第46-51页 |
| ·实现高灵敏度的方法 | 第46-47页 |
| ·单介质栅结构 | 第46页 |
| ·双介质栅结构 | 第46-47页 |
| ·多管级联结构 | 第47页 |
| ·工艺设计探讨 | 第47-50页 |
| ·单介质栅工艺 | 第47-49页 |
| ·双介质栅工艺 | 第49-50页 |
| ·本章小结 | 第50-51页 |
| 第六章 总结与展望 | 第51-53页 |
| 致谢 | 第53-54页 |
| 参考文献 | 第54-58页 |
| 附录： 作者在攻读硕士学位期间发表的论文 | 第58页 |
