| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-21页 |
| ·概述 | 第11-12页 |
| ·ZnS 晶体 | 第12-15页 |
| ·ZnS 的晶体结构 | 第12-13页 |
| ·ZnS 的能带结构 | 第13-14页 |
| ·ZnS 的发光机理 | 第14-15页 |
| ·ZnS 薄膜的应用 | 第15-16页 |
| ·ZnS 薄膜的制备方法 | 第16-18页 |
| ·离子注入技术 | 第18-19页 |
| ·研究内容 | 第19页 |
| ·研究结果 | 第19-21页 |
| 第二章 实验方法、步骤和实验原理 | 第21-33页 |
| ·真空蒸发技术概述及特点 | 第21页 |
| ·真空蒸发法制备薄膜的成膜原理 | 第21-22页 |
| ·真空蒸发法制备薄膜的工艺过程 | 第22-25页 |
| ·基片的清洗 | 第22-23页 |
| ·真空度 | 第23-24页 |
| ·加热 | 第24页 |
| ·蒸发 | 第24-25页 |
| ·监控技术 | 第25页 |
| ·离子注入掺杂改性原理 | 第25-26页 |
| ·样品测试 | 第26-33页 |
| ·X 射线衍射(XRD) | 第26-27页 |
| ·原子力显微镜(AFM) | 第27-28页 |
| ·荧光光致发光谱(PL) | 第28-29页 |
| ·透射光谱与吸收光谱 | 第29-30页 |
| ·四探针法测量电阻率 | 第30-33页 |
| 第三章 薄膜的制备、离子注入掺杂和结果分析 | 第33-50页 |
| ·真空蒸发法制备ZnS 薄膜及性能分析 | 第33-39页 |
| ·ZnS 薄膜（石英玻璃衬底）性能分析 | 第33-36页 |
| ·ZnS 薄膜（普通玻璃衬底）性能分析 | 第36-39页 |
| ·Ti 离子注入ZnS 薄膜(石英玻璃衬底)及性能分析 | 第39-43页 |
| ·Ti 离子注入ZnS 薄膜 | 第39-40页 |
| ·结构分析 | 第40页 |
| ·光学性质分析 | 第40-43页 |
| ·电学性质分析 | 第43页 |
| ·N 离子注入ZnS 薄膜(石英玻璃衬底)及性能分析 | 第43-46页 |
| ·N 离子注入ZnS 薄膜 | 第43-44页 |
| ·结构分析 | 第44页 |
| ·光学性质分析 | 第44-46页 |
| ·电学性质分析 | 第46页 |
| ·N 离子注入ZnS 薄膜(普通玻璃衬底)及性能分析 | 第46-50页 |
| ·N 离子注入 | 第46页 |
| ·结构分析 | 第46-47页 |
| ·光学性质分析 | 第47-49页 |
| ·电学性质分析 | 第49-50页 |
| 第四章 薄膜热处理及结果分析 | 第50-59页 |
| ·Ti 离子注入ZnS 薄膜(石英衬底)不同温度退火处理及性能分析 | 第50-52页 |
| ·结构分析 | 第50-51页 |
| ·光学性质分析 | 第51-52页 |
| ·N 离子注入ZnS 薄膜(石英玻璃衬底)不同温度退火处理及性能分析 | 第52-55页 |
| ·结构分析 | 第53页 |
| ·光学性质分析 | 第53-55页 |
| ·电阻率分析 | 第55页 |
| ·N 离子注入ZnS 薄膜(普通玻璃衬底)不同温度退火处理及性能分析 | 第55-59页 |
| ·结构分析 | 第55-56页 |
| ·光学性质分析 | 第56-58页 |
| ·电学性质分析 | 第58-59页 |
| 第五章 结论与展望 | 第59-62页 |
| ·实验总结 | 第59-60页 |
| ·实验改进 | 第60-61页 |
| ·制备工艺的改进 | 第60-61页 |
| ·掺杂方法的改进 | 第61页 |
| ·性能表征方法的不足 | 第61页 |
| ·实验意义与前景展望 | 第61-62页 |
| 致谢 | 第62-63页 |
| 参考文献 | 第63-69页 |
| 攻硕期间取得的研究成果 | 第69-70页 |
