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等离子体辅助原子层沉积钴基薄膜及其析氢性能的研究

致谢第4-5页
摘要第5-6页
ABSTRACT第6-7页
1 绪论第11-25页
    1.1 引言第11页
    1.2 电解水的概述第11-12页
        1.2.1 HER反应原理第11-12页
        1.2.2 OER反应原理第12页
    1.3 影响HER性能的因素第12-13页
    1.4 过渡金属化合物析氢催化剂的研究现状第13-18页
        1.4.1 过渡金属碳化物第13-15页
        1.4.2 过渡金属氮化物第15-18页
    1.5 薄膜沉积技术第18-23页
        1.5.1 薄膜沉积的方法和特点第18-19页
        1.5.2 原子层沉积(ALD)技术原理和进展第19-21页
        1.5.3 等离子体辅助原子层沉积(PE-ALD)特点和应用方向第21-23页
    1.6 论文研究的目的、意义及主要研究内容第23-25页
        1.6.1 论文研究的目的及意义第23页
        1.6.2 主要研究内容第23-25页
2 脒基钴前驱体合成第25-30页
    2.1 前驱体特性第25页
    2.2 前驱体的合成第25-28页
        2.2.1 钴前驱体的种类及特点第25-27页
        2.2.2 合成脒基钴前驱体的化学试剂第27-28页
        2.2.3 Co(amd)_2前驱体的合成和产率第28页
    2.3 前驱体的表征第28-30页
3 实验装置及超薄薄膜的表征设备第30-34页
    3.1 等离子体辅助原子层沉积装置第30-31页
    3.2 基片处理方法第31页
        3.2.1 硅片处理第31页
        3.2.2 碳布处理第31页
    3.3 超薄薄膜的表征第31-34页
        3.3.1 QCM原位诊断第31-32页
        3.3.2 薄膜结构表征第32页
        3.3.3 薄膜性能电化学测试第32-34页
4 等离子体辅助原子层沉积(PE-ALD)碳化钴薄膜及其析氢性能的研究第34-55页
    4.1 原子层沉积碳化钴薄膜的研究现状第34-35页
    4.2 PE-ALD沉积碳化钴薄膜实验第35-36页
        4.2.1 碳化钴薄膜PE-ALD设备第35页
        4.2.2 PE-ALD碳化钴薄膜工艺第35-36页
    4.3 PE-ALD碳化钴薄膜的实验结果及讨论第36-50页
        4.3.1 碳化钴薄膜ALD生长特性第36-38页
        4.3.2 沉积温度对薄膜生长的影响第38-41页
        4.3.3 放电时间对薄膜生长的影响第41-43页
        4.3.4 80℃下沉积碳化钴薄膜离线表征第43-48页
        4.3.5 原位QCM对薄膜生长机理研究第48-50页
    4.4 PE-ALD-CO_3C_X/CC电催化析氢性能第50-53页
        4.4.1 电极的制备及电化学测试第50-51页
        4.4.2 沉积温度对PE-ALD-Co_3C_x/CC析氢性能的影响第51-52页
        4.4.3 放电时间对PE-ALD-Co_3C_x/CC析氢性能的影响第52-53页
    4.5 本章小结第53-55页
5 等离子体辅助原子层(PE-ALD)沉积氮化钴薄膜及其析氢性能的研究第55-67页
    5.1 氮化钴薄膜的研究现状第55页
    5.2 PE-ALD沉积氮化钴薄膜实验第55-56页
        5.2.1 氮化钴薄膜沉积设备第55-56页
        5.2.2 PE-ALD氮化钴薄膜工艺第56页
    5.3 PE-ALD氮化钴薄膜的实验结果及讨论第56-63页
        5.3.1 氮化钴薄膜ALD生长特性第56-58页
        5.3.2 温度对薄膜生长的影响第58-60页
        5.3.3 氮化钴薄膜离线表征第60-63页
    5.4 PE-ALD-CO_3N_X/CO_3C_(0.69)/CC电催化析氢性能第63-65页
        5.4.1 电极的制备及电化学测试第63-64页
        5.4.2 电化学表征第64-65页
    5.5 本章小结第65-67页
6 结论和展望第67-69页
    6.1 论文主要结论第67-68页
    6.2 论文创新点第68页
    6.3 进一步工作展望第68-69页
参考文献第69-75页
作者攻读学位期间取得的研究成果第75页

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