| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第11-26页 |
| 1.1 引言 | 第11页 |
| 1.2 课题研究背景及意义 | 第11-13页 |
| 1.3 过电应力失效的研究现状 | 第13-23页 |
| 1.3.1 过电应力失效的测试与评价方法 | 第13-18页 |
| 1.3.2 典型交互式电子设备的过电应力评价 | 第18-21页 |
| 1.3.3 过电应力失效机理的研究现状 | 第21-23页 |
| 1.4 过电应力失效研究面临的问题 | 第23-24页 |
| 1.5 本文的主要工作 | 第24-26页 |
| 第2章 过电应力的失效机理及失效模型 | 第26-46页 |
| 2.1 半导体结构中的载流子运动与热致失效 | 第26-37页 |
| 2.1.1 基础半导体材料中的载流子运动 | 第26-29页 |
| 2.1.2 二极管PN结内的载流子运动 | 第29-33页 |
| 2.1.3 晶体管结构中的载流子运动 | 第33-36页 |
| 2.1.4 载流子运动过程中的焦耳热效应 | 第36-37页 |
| 2.2 热致失效的功率-温度-时间关系 | 第37-40页 |
| 2.2.1 热量传递过程及时间划分 | 第37-38页 |
| 2.2.2 热致失效的功率-温度-时间模型 | 第38-40页 |
| 2.3 绝缘体结构中的载流子运动与场致失效 | 第40-44页 |
| 2.3.1 Fowler-Nordheim隧穿 | 第40-42页 |
| 2.3.2 直接隧穿 | 第42-44页 |
| 2.4 本章小结 | 第44-46页 |
| 第3章 静电放电效应下以太网设备的热致失效分析 | 第46-85页 |
| 3.1 以太网设备的静电放电发生机制 | 第46-49页 |
| 3.1.1 以太网设备的结构组成 | 第46-47页 |
| 3.1.2 以太网设备的电缆放电序列特性 | 第47-49页 |
| 3.2 以太网设备的物理结构 | 第49-52页 |
| 3.2.1 电缆的物理结构 | 第49页 |
| 3.2.2 磁组的物理结构 | 第49-51页 |
| 3.2.3 IC芯片及引线的物理结构 | 第51-52页 |
| 3.3 以太网设备的物理特性参数提取 | 第52-65页 |
| 3.3.1 电缆起电的物理特性参数提取 | 第52-55页 |
| 3.3.2 可饱和磁组的物理特性参数提取 | 第55-61页 |
| 3.3.3 IC芯片引脚的物理特性参数提取 | 第61-65页 |
| 3.4 以太网设备的物理模型建立 | 第65-80页 |
| 3.4.1 带电电缆的模型建立 | 第65-70页 |
| 3.4.2 可饱和磁组的模型建立 | 第70-78页 |
| 3.4.3 IC芯片引脚的模型建立 | 第78-79页 |
| 3.4.4 微带线及连接结构的模型建立 | 第79-80页 |
| 3.5 以太网设备中的放电电流特性及热致失效 | 第80-83页 |
| 3.5.1 以太网设备中的热致失效结构分析 | 第80-81页 |
| 3.5.2 磁组的饱和特性对热致失效的影响 | 第81页 |
| 3.5.3 放电模型对热致失效影响的比较 | 第81-83页 |
| 3.6 本章小结 | 第83-85页 |
| 第4章 静电放电效应下触摸屏设备的场致失效分析 | 第85-116页 |
| 4.1 触摸屏设备的静电放电发生机制 | 第85-86页 |
| 4.2 触摸屏的静电放电测试方案 | 第86-95页 |
| 4.2.1 受试设备和实验操作说明 | 第87页 |
| 4.2.2 实验设计与测试装置搭建 | 第87-94页 |
| 4.2.3 触摸屏所受电应力的表征方法 | 第94-95页 |
| 4.3 触摸屏物理特性及放电条件对电应力的影响 | 第95-108页 |
| 4.3.1 表层玻璃特性对放电结果的影响 | 第95-97页 |
| 4.3.2 对不同触屏放电的电流特性对比 | 第97-99页 |
| 4.3.3 屏幕洁净度与电流特性的关系 | 第99-100页 |
| 4.3.4 放电位置与电流特性的关系 | 第100页 |
| 4.3.5 触摸屏的接地方式对电流特性的影响 | 第100-102页 |
| 4.3.6 移动速度对电流特性的的影响 | 第102-103页 |
| 4.3.7 电压等级、极性与电流特性的关系 | 第103-106页 |
| 4.3.8 人体模型与人体-金属模型的放电结果对比 | 第106-107页 |
| 4.3.9 环境湿度对放电结果的影响 | 第107-108页 |
| 4.4 触摸屏内部的位移电流特性及场致失效 | 第108-115页 |
| 4.4.1 位移电流的测量及基本特性分析 | 第108-110页 |
| 4.4.2 位移电流的能量特性分析 | 第110-111页 |
| 4.4.3 位移电流的全波模型及场致失效结构分析 | 第111-115页 |
| 4.5 本章小结 | 第115-116页 |
| 第5章 过电应力失效分析方法及应用实例 | 第116-128页 |
| 5.1 热致失效分析方法及实例 | 第116-121页 |
| 5.1.1 热致失效分析方法 | 第116-119页 |
| 5.1.2 以太网设备的热致失效分析实例 | 第119-121页 |
| 5.2 场致失效分析方法及实例 | 第121-127页 |
| 5.2.1 场致失效分析方法 | 第121-124页 |
| 5.2.2 触摸屏设备的场致失效分析实例 | 第124-127页 |
| 5.3 本章小结 | 第127-128页 |
| 第6章 总结与展望 | 第128-132页 |
| 6.1 本文的工作总结 | 第128-131页 |
| 6.1.1 本文的主要工作和结论 | 第128-130页 |
| 6.1.2 本文的创新点 | 第130-131页 |
| 6.2 后期工作展望 | 第131-132页 |
| 参考文献 | 第132-139页 |
| 致谢 | 第139-140页 |
| 攻读学位期间的发表论文情况 | 第140-141页 |