界面和能带结构对电荷俘获型器件存储性能影响的研究
| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第12-38页 |
| 1.1 引言 | 第12页 |
| 1.2 存储器概述 | 第12-15页 |
| 1.3 非易失性存储器分类 | 第15-20页 |
| 1.3.1 电荷俘获型存储器 | 第15页 |
| 1.3.2 铁电存储器 | 第15-16页 |
| 1.3.3 相变存储器 | 第16-18页 |
| 1.3.4 磁性存储器 | 第18-19页 |
| 1.3.5 阻变存储器 | 第19-20页 |
| 1.4 电荷俘获型存储器概述 | 第20-27页 |
| 1.4.1 电荷俘获型存储器的发展历史 | 第21-23页 |
| 1.4.2 电荷俘获型存储器的工作原理 | 第23-24页 |
| 1.4.3 电荷俘获型存储器的写入擦除机制 | 第24-25页 |
| 1.4.4 电荷俘获型存储器的四个性能参数 | 第25-27页 |
| 1.5 电荷俘获型存储器件研究进展 | 第27-32页 |
| 1.5.1 高-k材料在电荷俘获型存储器应用 | 第27-28页 |
| 1.5.2 能带工程在电荷俘获型存储器应用 | 第28-29页 |
| 1.5.3 鳍式场效应晶体管 | 第29-30页 |
| 1.5.4 3D存储器 | 第30-31页 |
| 1.5.5 有机存储器 | 第31-32页 |
| 1.6 本文的工作意义、目的和内容 | 第32-33页 |
| 参考文献 | 第33-38页 |
| 第二章 薄膜制备与器件性能表征 | 第38-46页 |
| 2.1 常见薄膜制备方法 | 第38-39页 |
| 2.2 磁控溅射技术 | 第39-40页 |
| 2.3 原子层沉积技术 | 第40-41页 |
| 2.4 快速退火技术 | 第41-42页 |
| 2.5 器件性能表征设备介绍 | 第42-44页 |
| 2.5.1 电学性能测试系统介绍 | 第42页 |
| 2.5.2 其他表征设备介绍 | 第42-44页 |
| 2.6 本章小结 | 第44-45页 |
| 参考文献 | 第45-46页 |
| 第三章 能带结构和界面对CTM器件性能的影响 | 第46-62页 |
| 3.1 引言 | 第46-47页 |
| 3.2 薄膜生长参数与厚度的标定 | 第47-48页 |
| 3.2.1 气氛对磁控溅射生长薄膜的影响 | 第47页 |
| 3.2.2 薄膜厚度的标定 | 第47-48页 |
| 3.3 薄膜结晶状态表征 | 第48-49页 |
| 3.4 不同隧穿层结构的CTM的制备 | 第49-51页 |
| 3.5 CTM器件存储性能的表征 | 第51-57页 |
| 3.6 本章小结 | 第57-59页 |
| 参考文献 | 第59-62页 |
| 第四章 CTM器件的微波阻抗显微术表征 | 第62-76页 |
| 4.1 引言 | 第62-63页 |
| 4.2 薄膜厚度、表面形貌及结晶状态的表征 | 第63-64页 |
| 4.3 高-k复合介质电荷俘获层CTM的制备 | 第64-65页 |
| 4.4 CTM器件存储性能的表征 | 第65-72页 |
| 4.5 本章小结 | 第72-74页 |
| 参考文献 | 第74-76页 |
| 第五章 结论与展望 | 第76-78页 |
| 5.1 全文结论 | 第76-77页 |
| 5.2 今后工作展望 | 第77-78页 |
| 硕士期间的成果 | 第78-80页 |
| 致谢 | 第80-81页 |
