| 致谢 | 第4-5页 |
| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 引言 | 第10-22页 |
| 1.1 半导体激光器的发展与应用 | 第10-18页 |
| 1.1.1 半导体激光器基本原理及发展历程 | 第10-15页 |
| 1.1.2 半导体激光器的特点及应用 | 第15-18页 |
| 1.2 高电光转换效率 808 nm/9xx nm 半导体激光器的研究进展 | 第18-20页 |
| 1.3 本论文的研究意义与工作成果 | 第20-22页 |
| 1.3.1 本论文的研究目的及意义 | 第20-21页 |
| 1.3.2 本论文的研究内容与成果 | 第21-22页 |
| 第二章 半导体激光器的制备及特性参数 | 第22-30页 |
| 2.1 半导体激光器的制备技术 | 第22-24页 |
| 2.2 半导体激光器主要光电特性参数 | 第24-29页 |
| 2.2.1 阈值电流 | 第26页 |
| 2.2.2 斜率效率 | 第26-27页 |
| 2.2.3 电光转换效率 | 第27-28页 |
| 2.2.4 光谱、近场与远场 | 第28-29页 |
| 2.3 本章小结 | 第29-30页 |
| 第三章 高电光转换效率半导体激光器的理论分析 | 第30-40页 |
| 3.1 半导体激光器高电光转换效率分析研究 | 第30-35页 |
| 3.1.1 半导体激光器能量损耗路径分析 | 第30-31页 |
| 3.1.2 电光转化效率影响因素 | 第31-35页 |
| 3.2 808nm半导体激光器外延结构设计 | 第35-39页 |
| 3.2.1 波导层的结构设计 | 第35-36页 |
| 3.2.2 非对称波导结构内损耗的数值计算 | 第36-39页 |
| 3.3 本章小结 | 第39-40页 |
| 第四章 温度对808nm半导体激光器效率的影响机制研究 | 第40-56页 |
| 4.1 实验设计：808nm半导体激光器温度-效率实验 | 第40-41页 |
| 4.2 实验结果理论分析 | 第41-48页 |
| 4.2.1 实验结果 | 第41-42页 |
| 4.2.2 温度对光电特性参数的影响 | 第42-45页 |
| 4.2.3 能量损耗路径占比贡献随温度的变化 | 第45-48页 |
| 4.3 器件优化结果 | 第48-55页 |
| 4.3.1 内量子效率和内损耗的测试 | 第48-49页 |
| 4.3.2 808nm半导体激光器优化结果 | 第49-55页 |
| 4.4 本章小结 | 第55-56页 |
| 第五章 976nm高电光转换效率半导体激光器 | 第56-60页 |
| 5.1 976 nm半导体激光器不同器件结构特性对比 | 第56-57页 |
| 5.2 不同温度条件下976nm半导体激光器光电特性对比 | 第57-60页 |
| 第六章 总结与展望 | 第60-62页 |
| 6.1 总结 | 第60页 |
| 6.2 展望 | 第60-62页 |
| 参考文献 | 第62-66页 |
| 作者简介及在学期间发表的学术论文与研究成果 | 第66页 |
