| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 符号对照表 | 第11-12页 |
| 缩略语对照表 | 第12-15页 |
| 第一章 绪论 | 第15-21页 |
| 1.1 研究背景及意义 | 第15-16页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第16-18页 |
| 1.2.1 国外研究现状 | 第17页 |
| 1.2.2 国内研究现状 | 第17-18页 |
| 1.3 论文内容安排 | 第18-21页 |
| 第二章 单粒子效应机理与SRAM工作机理 | 第21-37页 |
| 2.1 单粒子效应简介 | 第21-26页 |
| 2.1.1 单粒子效应机理 | 第21-22页 |
| 2.1.2 单粒子效应分类 | 第22-25页 |
| 2.1.3 单粒子效应的表征方式 | 第25-26页 |
| 2.2 单粒子瞬态效应的仿真方法 | 第26-28页 |
| 2.2.1 器件级仿真方法 | 第27页 |
| 2.2.2 电路级仿真方法 | 第27-28页 |
| 2.2.3 混合仿真方法 | 第28页 |
| 2.3 SRAM工作机理 | 第28-36页 |
| 2.3.1 SRAM的I/O及其功能 | 第29-30页 |
| 2.3.2 SRAM的功能模块分类 | 第30-31页 |
| 2.3.3 SRAM存储单元模块工作原理 | 第31-33页 |
| 2.3.4 SRAM外围电路工作原理 | 第33-36页 |
| 2.4 本章小结 | 第36-37页 |
| 第三章 SRAM关键信号单粒子瞬态效应敏感性分析 | 第37-51页 |
| 3.1 瞬态电流源的获取 | 第37-40页 |
| 3.2 关键信号敏感性分析方法 | 第40-42页 |
| 3.3 关键信号的提取与关键信号列表 | 第42-44页 |
| 3.4 敏感性分析结果 | 第44-48页 |
| 3.5 本章小结 | 第48-51页 |
| 第四章 SRAM单粒子瞬态效应统计分析 | 第51-69页 |
| 4.1 SRAM单粒子瞬态效应统计分析方法 | 第51-54页 |
| 4.1.1 SRAM单粒子瞬态效应统计分析方法 | 第51-53页 |
| 4.1.2 随机性论证 | 第53页 |
| 4.1.3 SRAM版图分析 | 第53-54页 |
| 4.2 SRAM存储单元模块单粒子翻转效应仿真分析 | 第54-58页 |
| 4.2.1 SRAM存储单元单粒子翻转阈值仿真分析 | 第54-57页 |
| 4.2.2 SRAM单粒子效应翻转截面曲线仿真分析 | 第57-58页 |
| 4.3 SRAM外围电路单粒子瞬态效应仿真分析 | 第58-65页 |
| 4.3.1 SRAM列译码器与灵敏放大器单粒子瞬态效应分析 | 第58-63页 |
| 4.3.2 SRAM行译码器单粒子瞬态效应仿真分析 | 第63-64页 |
| 4.3.3 SRAM逻辑电路模块单粒子瞬态效应仿真分析 | 第64-65页 |
| 4.4 SRAM外围电路整体单粒子瞬态效应仿真 | 第65-67页 |
| 4.5 本章小结 | 第67-69页 |
| 第五章 总结与展望 | 第69-71页 |
| 5.1 论文总结 | 第69页 |
| 5.2 工作展望 | 第69-71页 |
| 参考文献 | 第71-77页 |
| 致谢 | 第77-79页 |
| 作者简介 | 第79-80页 |
