摘要 | 第9-10页 |
ABSTRACT | 第10页 |
第一章 绪论 | 第11-17页 |
1.1 引言 | 第11页 |
1.2 二维材料简介 | 第11-12页 |
1.3 过渡金属硫族化合物 | 第12-14页 |
1.4 MoSe_2的国内外研究现状 | 第14-16页 |
1.5 本论文的主要内容 | 第16-17页 |
第二章 MoSe_2的光谱性质研究 | 第17-31页 |
2.1 拉曼光谱和光致发光光谱 | 第17-19页 |
2.1.1 拉曼光谱 | 第17-18页 |
2.1.2 光致发光光谱 | 第18-19页 |
2.2 电子束辐照对MoSe_2光谱性质的影响 | 第19-26页 |
2.2.1 实验部分 | 第19-22页 |
2.2.2 实验结果与讨论 | 第22-26页 |
2.3 石墨烯耦合作用下MoSe_2光谱性质的变化 | 第26-29页 |
2.3.1 实验部分 | 第26-27页 |
2.3.2 实验结果与讨论 | 第27-29页 |
2.4 本章小结 | 第29-31页 |
第三章 MoSe_2晶体管的电学性能 | 第31-43页 |
3.1 器件制备 | 第31-34页 |
3.2 不同材料厚度下器件的电学性能 | 第34-37页 |
3.3 不同温度下器件的电学性能 | 第37-41页 |
3.4 本章小结 | 第41-43页 |
第四章 MoSe_2的光电响应 | 第43-49页 |
4.1 光敏原理与测试方法 | 第43-44页 |
4.2 少层MoSe_2的光电响应 | 第44-45页 |
4.3 多层MoSe_2的光电响应 | 第45-48页 |
4.4 本章小结 | 第48-49页 |
第五章 结论与展望 | 第49-51页 |
5.1 本论文主要工作 | 第49页 |
5.2 主要创新点 | 第49页 |
5.3 后续研究展望 | 第49-51页 |
致谢 | 第51-53页 |
参考文献 | 第53-59页 |
作者在学期间取得的学术成果 | 第59页 |