| 中文摘要 | 第4-7页 |
| abstract | 第7-9页 |
| 第一章 绪论 | 第13-38页 |
| 1.1 有机半导体材料概述 | 第13-14页 |
| 1.1.1 有机半导体材料的发展 | 第13页 |
| 1.1.2 有机小分子半导体单晶材料的优势 | 第13-14页 |
| 1.2 有机半导体单晶材料有序化制备的方法 | 第14-29页 |
| 1.2.1 涂布法 | 第14-25页 |
| 1.2.2 喷墨打印法 | 第25-26页 |
| 1.2.3 电场法 | 第26-27页 |
| 1.2.4 气相沉积法 | 第27-29页 |
| 1.3 有机小分子半导体单晶材料有序化结构在场效应晶体管中的应用进展 | 第29-32页 |
| 1.3.1 有机场效应晶体管简介 | 第29-31页 |
| 1.3.2 有机小分子单晶材料在单极性及双极性场效应晶体管的发展状况 | 第31-32页 |
| 1.4 课题提出的意义与主要内容 | 第32-34页 |
| 参考文献 | 第34-38页 |
| 第二章 有机p-n异质结叠层单晶微米带阵列的制备及其在双极性场效应晶体管中的应用 | 第38-64页 |
| 2.1 引言 | 第38-40页 |
| 2.2 实验部分 | 第40-44页 |
| 2.2.1 实验材料 | 第40页 |
| 2.2.2 基底的清洗和模板的制备 | 第40-42页 |
| 2.2.3 大面积有机p-n异质结叠层单晶微米带阵列的制备 | 第42页 |
| 2.2.4 有机p-n异质结微米带阵列形貌与晶体质量表征 | 第42-43页 |
| 2.2.5 双极性OFET和反相器的构筑与测试 | 第43-44页 |
| 2.3 结果与讨论 | 第44-60页 |
| 2.3.1 有机p-n异质结叠层单晶微米带阵列形貌与晶体质量的研究 | 第44-47页 |
| 2.3.2 有机p-n异质结微米带阵列生长机理的研究 | 第47-50页 |
| 2.3.3 溶液浓度与有机p-n异质结微米带宽度的关系 | 第50-51页 |
| 2.3.4 有机p-n异质结微米带阵列OFET及反相器性能的研究 | 第51-55页 |
| 2.3.5 有机p-n横向异质结微米带阵列制备的拓展研究 | 第55-60页 |
| 2.4 本章小结 | 第60-61页 |
| 参考文献 | 第61-64页 |
| 第三章 有机体异质结微米带阵列的制备及其在双极性场效应晶体管中的应用 | 第64-83页 |
| 3.1 引言 | 第64-65页 |
| 3.2 实验部分 | 第65-70页 |
| 3.2.1 实验材料 | 第65-66页 |
| 3.2.2 基底的清洗和修饰 | 第66-67页 |
| 3.2.3 大面积有机体异质结微米带阵列的制备 | 第67-68页 |
| 3.2.4 有机体异质结微米带阵列形貌和晶体质量的表征 | 第68-69页 |
| 3.2.5 有机体异质结微米带阵列的双极性OFET的构筑与测试 | 第69-70页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第70-80页 |
| 3.3.1 有机体异质结微米带阵列晶体形貌与晶体质量的研究 | 第70-73页 |
| 3.3.2 有机体异质结微米带阵列生长机理的研究 | 第73-75页 |
| 3.3.3 相分离速度与有机体异质结微米带阵列形貌的关系 | 第75-77页 |
| 3.3.4 拖涂速度对微米带阵列形貌以及器件性能的影响 | 第77-78页 |
| 3.3.5 p-n材料混合比例与异质结微米带形貌及器件性能的关系 | 第78-79页 |
| 3.3.6 基于微米带阵列双极性OFET和反相器器件性能的研究 | 第79-80页 |
| 3.4 本章小结 | 第80-81页 |
| 参考文献 | 第81-83页 |
| 第四章 大面积有机半导体单晶薄膜的制备及其在单极性场效应晶体管中的应用 | 第83-96页 |
| 4.1 引言 | 第83-84页 |
| 4.2 实验部分 | 第84-88页 |
| 4.2.1 实验材料 | 第84页 |
| 4.2.2 基底的清洗和生长模板的制备 | 第84-86页 |
| 4.2.3 大面积C8-BTBT单晶薄膜的制备 | 第86页 |
| 4.2.4 C8-BTBT单晶薄膜的形貌和晶体质量表征 | 第86-87页 |
| 4.2.5 OFET器件的构筑与测试 | 第87-88页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第88-92页 |
| 4.3.1 C8-BTBT单晶薄膜形貌与晶体质量的研究 | 第88-89页 |
| 4.3.2 C8-BTBT单晶薄膜生长机理的研究 | 第89-90页 |
| 4.3.3 生长模板沟道深度对C8-BTBT单晶薄膜形貌的影响 | 第90-91页 |
| 4.3.4 基于C8-BTBT单晶薄膜OFET器件性能的研究 | 第91-92页 |
| 4.4 本章小结 | 第92-93页 |
| 参考文献 | 第93-96页 |
| 结论 | 第96-98页 |
| 攻读学位期间本人出版或公开发表的论著、论文 | 第98-99页 |
| 致谢 | 第99-100页 |
