石墨与石英衬底上多晶硅薄膜制备与分析
摘要 | 第5-6页 |
Abstract | 第6-7页 |
第1章 绪论 | 第10-29页 |
1.1 太阳电池现状及发展 | 第10-15页 |
1.1.1 能源利用状况 | 第10-12页 |
1.1.2 太阳电池及光伏电站原理 | 第12-13页 |
1.1.3 太阳电池发展 | 第13-15页 |
1.2 世界光伏投资概述 | 第15-17页 |
1.3 硅太阳电池 | 第17-24页 |
1.3.1 硅及半导体材料简介 | 第17-19页 |
1.3.2 晶体硅太阳电池 | 第19-23页 |
1.3.3 薄膜硅太阳电池 | 第23-24页 |
1.4 多晶硅薄膜制备方法概述 | 第24-27页 |
1.4.1 多晶硅薄膜太阳电池制造工艺 | 第24-25页 |
1.4.2 多晶硅薄膜太阳电池关键问题 | 第25-26页 |
1.4.3 多晶硅薄膜制备方法 | 第26-27页 |
1.5 本文研究工作及主要内容安排 | 第27-29页 |
第2章 多晶硅薄膜制备方法及性质表征 | 第29-40页 |
2.1 多晶硅薄膜制备方法 | 第29-34页 |
2.1.1 磁控溅射 | 第29-31页 |
2.1.2 快速热退火 | 第31-32页 |
2.1.3 化学气相沉积 | 第32-33页 |
2.1.4 其他制备方法 | 第33-34页 |
2.2 多晶硅薄膜性质表征技术 | 第34-40页 |
2.2.1 X射线衍射 | 第34-36页 |
2.2.2 拉曼光谱 | 第36-38页 |
2.2.3 扫描电子显微镜 | 第38-40页 |
第3章 异质衬底多晶硅薄膜制备 | 第40-48页 |
3.1 衬底的选择及处理 | 第40-43页 |
3.1.1 石墨衬底 | 第40-42页 |
3.1.2 石英玻璃衬底 | 第42-43页 |
3.2 多晶硅薄膜的制备过程 | 第43-48页 |
3.2.1 籽晶层的制备 | 第43-45页 |
3.2.2 快速热退火过程 | 第45-48页 |
第4章 多晶硅薄膜的表征与分析 | 第48-62页 |
4.1 X射线衍射分析 | 第48-51页 |
4.2 拉曼光谱分析 | 第51-57页 |
4.3 SEM分析 | 第57-60页 |
4.4 综合分析 | 第60-62页 |
4.4.1 衬底温度对薄膜择优取向的影响 | 第60-61页 |
4.4.2 退火处理与薄膜晶化程度的关系 | 第61-62页 |
第5章 结论 | 第62-64页 |
5.1 本文主要成果 | 第62页 |
5.2 不足之处和未来工作建议 | 第62-64页 |
参考文献 | 第64-68页 |
攻读硕士学位期间发表的论文及其他成果 | 第68-69页 |
致谢 | 第69页 |