| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 第1章 绪论 | 第8-22页 |
| 1.1 引言 | 第8-9页 |
| 1.2 Si衬底GaN基LED薄膜 | 第9-17页 |
| 1.2.1 GaN材料结构特性 | 第9-11页 |
| 1.2.2 GaN的能带结构和光学特性 | 第11-12页 |
| 1.2.3 衬底材料的选择 | 第12-15页 |
| 1.2.4 Si(111)衬底上生长GaN的优化技术 | 第15-17页 |
| 1.3 薄膜应力分析手段 | 第17-19页 |
| 1.3.1 光致发光（PL） | 第17-18页 |
| 1.3.2 X射线衍射技术 | 第18-19页 |
| 1.4 研究背景 | 第19-20页 |
| 1.5 本论文的研究内容及行文安排 | 第20-22页 |
| 第2章 自由支撑的Si衬底GaN基LED薄膜微区发光及应力变化研究 | 第22-36页 |
| 2.1 引言 | 第22页 |
| 2.2 实验 | 第22-35页 |
| 2.2.1 实验方案 | 第22-24页 |
| 2.2.2 样品制备 | 第24-27页 |
| 2.2.3 光学显微镜、SEM、荧光显微镜测试 | 第27-29页 |
| 2.2.4 变激发密度PL测试 | 第29-35页 |
| 2.3 结论 | 第35-36页 |
| 第3章 消除光谱干涉的研究 | 第36-41页 |
| 3.1 引言 | 第36-38页 |
| 3.2 实验 | 第38-39页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第39-40页 |
| 3.4 结论 | 第40-41页 |
| 第4章 总结 | 第41-42页 |
| 致谢 | 第42-43页 |
| 参考文献 | 第43-47页 |
| 攻读硕士学位期间的研究成果 | 第47页 |