| 摘要 | 第5-6页 |
| abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-24页 |
| 1.1 课题研究背景及意义 | 第10-13页 |
| 1.2 真空电子器件 | 第13-20页 |
| 1.2.1 带状注器件 | 第14-17页 |
| 1.2.2 扩展互作用器件 | 第17-19页 |
| 1.2.3 带状束扩展互作用器件 | 第19-20页 |
| 1.3 国内外真空电子器件热特性研究现状 | 第20-22页 |
| 1.3.1 国外的研究现状 | 第20-21页 |
| 1.3.2 国内的研究现状 | 第21-22页 |
| 1.4 本论文主要内容和与基本结构 | 第22-24页 |
| 第二章 带状束扩展互作用器件的理论及传热学理论 | 第24-36页 |
| 2.1 速调管的基本理论 | 第24-30页 |
| 2.1.1 速度调制 | 第24-27页 |
| 2.1.2 电子注的漂移群聚 | 第27-29页 |
| 2.1.3 电子注的能量交换 | 第29-30页 |
| 2.2 谐振腔的特性参数 | 第30-32页 |
| 2.3 传热学基本理论 | 第32-33页 |
| 2.4 热分析流程 | 第33-35页 |
| 2.5 本章小结 | 第35-36页 |
| 第三章 W波段SBEIO高频结构高效散热研究 | 第36-62页 |
| 3.1 高频结构模型 | 第36-41页 |
| 3.1.1 仿真模型 | 第37页 |
| 3.1.2 腔体材料特性 | 第37-40页 |
| 3.1.3 PIC仿真结果 | 第40-41页 |
| 3.2 高频结构热分析 | 第41-46页 |
| 3.2.1 仿真模型 | 第41-42页 |
| 3.2.2 欧姆损耗和电子截获 | 第42-45页 |
| 3.2.3 相变的影响 | 第45-46页 |
| 3.3 微通道结构 | 第46-55页 |
| 3.3.1 散热结构优化 | 第47-51页 |
| 3.3.2 高频结构热形变分析 | 第51-52页 |
| 3.3.3 高频结构形变前后性能变化 | 第52-53页 |
| 3.3.4 SBEIO的功率容量 | 第53-55页 |
| 3.4 射流冷却结构 | 第55-61页 |
| 3.4.1 散热结构优化 | 第56-59页 |
| 3.4.2 高频结构热分析 | 第59-61页 |
| 3.5 本章小结 | 第61-62页 |
| 第四章 W波段4Π模低压大功率容量SBEIO的研究 | 第62-71页 |
| 4.1 研究意义 | 第62-63页 |
| 4.2 高频结构的设计 | 第63-67页 |
| 4.2.1 工作模式的确定 | 第63-64页 |
| 4.2.2 谐振腔的冷腔设计 | 第64-67页 |
| 4.3 PIC计算结果 | 第67-70页 |
| 4.4 本章小结 | 第70-71页 |
| 第五章 总结和展望 | 第71-73页 |
| 5.1 全文总结 | 第71-72页 |
| 5.2 后续工作展望 | 第72-73页 |
| 致谢 | 第73-74页 |
| 参考文献 | 第74-80页 |
| 攻读硕士学位期间的研究成果 | 第80页 |