| 摘要 | 第5-6页 |
| abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-17页 |
| 1.1 引言 | 第10-11页 |
| 1.2 InSb半导体材料的基本性质 | 第11-14页 |
| 1.3 InSb材料研究现状及发展态势 | 第14-16页 |
| 1.4 本论文的主要研究内容 | 第16-17页 |
| 第二章 实验原理与方法 | 第17-31页 |
| 2.1 薄膜简介 | 第17-18页 |
| 2.2 薄膜的制备方法 | 第18-23页 |
| 2.2.1 分子束外延基本原理 | 第18-21页 |
| 2.2.2 物理气相沉积 | 第21-22页 |
| 2.2.3 金属有机化学气相沉积 | 第22页 |
| 2.2.4 磁控溅射 | 第22-23页 |
| 2.3 材料结构、形貌及物性表征 | 第23-30页 |
| 2.3.1 反射式高能电子衍射谱仪(RHEED) | 第23-25页 |
| 2.3.2 X射线衍射(XRD) | 第25-26页 |
| 2.3.3 霍尔效应测试仪 | 第26-27页 |
| 2.3.4 扫描隧道显微镜(STM) | 第27-29页 |
| 2.3.5 原子力显微镜(AFM) | 第29-30页 |
| 2.4 本章小结 | 第30-31页 |
| 第三章 Bi(001)缓冲层的制备及性质研究 | 第31-37页 |
| 3.1 引言 | 第31-32页 |
| 3.2 Bi(001)单晶薄膜制备 | 第32-35页 |
| 3.2.1 Si衬底表面的清洗 | 第32-33页 |
| 3.2.2 分子束外延方法制备Bi(001)薄膜 | 第33-35页 |
| 3.3 Bi(001)薄膜形貌及结构分析 | 第35-36页 |
| 3.3.1 Bi(001)薄膜STM扫描分析 | 第35页 |
| 3.3.2 Bi(001)薄膜XRD测试分析 | 第35-36页 |
| 3.4 本章小结 | 第36-37页 |
| 第四章 分子束外延制备InSb薄膜及性质研究 | 第37-49页 |
| 4.1 引言 | 第37-38页 |
| 4.2 MBE生长InSb薄膜的影响因素 | 第38-39页 |
| 4.2.1 Sb/In束流比的影响 | 第38页 |
| 4.2.2 衬底温度的影响 | 第38-39页 |
| 4.2.3 生长速率的影响 | 第39页 |
| 4.3 InSb(111)单晶薄膜制备与表征 | 第39-45页 |
| 4.3.1 Si(111)衬底上InSb薄膜的生长 | 第39-40页 |
| 4.3.2 InSb薄膜STM扫描分析 | 第40-43页 |
| 4.3.3 InSb薄膜XRD测试分析 | 第43-45页 |
| 4.4 InSb薄膜光电特性研究 | 第45-47页 |
| 4.5 本章小结 | 第47-49页 |
| 第五章 InSb薄膜单一极性生长研究 | 第49-59页 |
| 5.1 引言 | 第49-50页 |
| 5.2 InSb薄膜单一极性生长模式研究 | 第50-54页 |
| 5.3 InSb薄膜外延生长形貌演化研究 | 第54-57页 |
| 5.4 本章小结 | 第57-59页 |
| 第六章 全文总结与展望 | 第59-61页 |
| 6.1 本文主要结论 | 第59-60页 |
| 6.2 后续工作展望 | 第60-61页 |
| 致谢 | 第61-62页 |
| 参考文献 | 第62-67页 |
| 攻读硕士学位期间取得的成果 | 第67页 |