基于GEANT4的单粒子效应预测研究
| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第14-23页 |
| 1.1 研究背景与意义 | 第14-17页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第17-20页 |
| 1.3 研究内容 | 第20-21页 |
| 1.4 论文结构 | 第21-23页 |
| 第二章 GEANT4软件基础 | 第23-33页 |
| 2.1 蒙特卡罗方法 | 第23-24页 |
| 2.2 GEANT4介绍和功能模块 | 第24-27页 |
| 2.2.1 GEANT4介绍 | 第24-25页 |
| 2.2.2 GEANT4结构与基本功能模块 | 第25-27页 |
| 2.3 探测器模型 | 第27-29页 |
| 2.3.1 单比特翻转探测器模型 | 第27-29页 |
| 2.3.2 多比特翻转探测器模型 | 第29页 |
| 2.4 信息输出 | 第29-32页 |
| 2.4.1 粒子信息 | 第29-31页 |
| 2.4.2 翻转判断 | 第31页 |
| 2.4.3 结果输出 | 第31-32页 |
| 2.5 本章小结 | 第32-33页 |
| 第三章 复合敏感体模型验证 | 第33-45页 |
| 3.1 中子辐射截面 | 第33-34页 |
| 3.1.1 中子与硅的核反应产物 | 第33页 |
| 3.1.2 辐射截面介绍 | 第33-34页 |
| 3.2 物理过程的选择 | 第34-38页 |
| 3.2.1 物理过程的介绍 | 第34-35页 |
| 3.2.2 核数据库介绍 | 第35-36页 |
| 3.2.3 物理过程适用性分析 | 第36-38页 |
| 3.3 重离子辐射仿真 | 第38-42页 |
| 3.3.1 LET简介 | 第38页 |
| 3.3.2 SRIM软件介绍 | 第38-39页 |
| 3.3.3 重离子选取 | 第39-40页 |
| 3.3.4 模拟仿真 | 第40-42页 |
| 3.4 中子辐射SEU预测 | 第42-43页 |
| 3.5 本章小结 | 第43-45页 |
| 第四章 中子辐射的多比特翻转预测 | 第45-61页 |
| 4.1 多比特翻转预测模型 | 第45-46页 |
| 4.2 中子辐射MBU预测 | 第46-48页 |
| 4.2.1 多比特翻转率 | 第46-48页 |
| 4.2.2 不同能量中子辐射下的MBU截面 | 第48页 |
| 4.3 重离子引起的多比特翻转截面 | 第48-51页 |
| 4.4 其他因素对多比特翻转影响的预测 | 第51-60页 |
| 4.4.1 中子入射角度对多比特翻转影响的预测 | 第51-52页 |
| 4.4.2 截断值对多比特翻转影响的预测 | 第52-54页 |
| 4.4.3 阈值电荷对多比特翻转影响的预测 | 第54-57页 |
| 4.4.4 金属材料对多比特翻转影响的预测 | 第57-60页 |
| 4.5 本章小结 | 第60-61页 |
| 第五章 2MeV能量以下质子单粒子效应研究 | 第61-74页 |
| 5.1 2MeV能量以下质子辐射 | 第61-65页 |
| 5.1.1 不同能量质子辐射模拟 | 第61-62页 |
| 5.1.2 质子辐射模拟结果分析 | 第62-65页 |
| 5.2 入射角度对2MeV能量以下质子辐射的影响 | 第65-68页 |
| 5.3 阈值电荷对2MeV能量以下质子辐射的影响 | 第68-71页 |
| 5.4 截断值对2MeV能量以下质子辐射的影响 | 第71-73页 |
| 5.5 本章小结 | 第73-74页 |
| 第六章 总结与展望 | 第74-75页 |
| 致谢 | 第75-76页 |
| 参考文献 | 第76-80页 |
| 攻硕期间取得的研究成果 | 第80页 |
