| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-17页 |
| 1.1 研究背景 | 第10-11页 |
| 1.2 GaN材料特性 | 第11-12页 |
| 1.3 国内外研究现状 | 第12-15页 |
| 1.4 本文架构及主要工作 | 第15-17页 |
| 第二章 GaN HEMT器件物理及关键工艺 | 第17-35页 |
| 2.1 GaN HEMT异质结特性 | 第17-22页 |
| 2.1.1 AlGaN/GaN异质结的极化效应 | 第17-19页 |
| 2.1.2 In AlN/GaN异质结的极化效应 | 第19-21页 |
| 2.1.3 In AlN/GaN HEMT的工作原理 | 第21-22页 |
| 2.2 增强型GaN HEMT的实现方式 | 第22-25页 |
| 2.2.1 凹槽栅技术 | 第22-23页 |
| 2.2.2 栅极氟离子注入技术 | 第23-24页 |
| 2.2.3 P-GaN栅技术 | 第24-25页 |
| 2.2.4 极化抵消技术 | 第25页 |
| 2.3 GaN HEMT的电流崩塌效应 | 第25-27页 |
| 2.3.1 电流崩塌效应的原因 | 第25-27页 |
| 2.3.2 电流崩塌效应的抑制 | 第27页 |
| 2.4 GaN HEMT的关键工艺 | 第27-34页 |
| 2.4.1 器件隔离 | 第27-29页 |
| 2.4.2 欧姆金属的制备 | 第29-30页 |
| 2.4.3 肖特基金属的制备 | 第30-31页 |
| 2.4.4 凹槽刻蚀 | 第31-32页 |
| 2.4.5 绝缘介质的制备 | 第32-34页 |
| 2.5 本章小结 | 第34-35页 |
| 第三章 In AlN/GaN HEMT直流特性仿真与器件模型 | 第35-53页 |
| 3.1 器件仿真与模型 | 第35-39页 |
| 3.1.1 仿真软件Sentaurus简介 | 第36-37页 |
| 3.1.2 器件模型及材料参数 | 第37-39页 |
| 3.2 耗尽型In AlN/GaN HEMT/MISHEMT的直流特性仿真 | 第39-43页 |
| 3.3 凹槽栅结构In AlN/GaN HEMT转移特性与阈值模型 | 第43-48页 |
| 3.3.1 凹槽栅结构In AlN/GaN HEMT转移特性 | 第43-46页 |
| 3.3.2 凹槽栅结构In AlN/GaN阈值电压模型 | 第46-48页 |
| 3.4 栅极负电荷注入In AlN/GaN HEMT的转移特性 | 第48-52页 |
| 3.5 本章小结 | 第52-53页 |
| 第四章 肖特基源In AlN/GaN HEMT技术 | 第53-68页 |
| 4.1 肖特基接触技术的提出 | 第53-55页 |
| 4.2 In AlN/GaN HEMT的耐压机理与仿真 | 第55-59页 |
| 4.2.1 In AlN/GaN HEMT的耐压机理 | 第55页 |
| 4.2.2 In AlN/GaN HEMT的耐压仿真 | 第55-59页 |
| 4.3 肖特基源In AlN/GaN HEMT的制备 | 第59-67页 |
| 4.3.1 外延生长 | 第59页 |
| 4.3.2 衬底的选择 | 第59-60页 |
| 4.3.3 器件的制备 | 第60-63页 |
| 4.3.4 测试结果 | 第63-67页 |
| 4.4 本章小结 | 第67-68页 |
| 第五章 结论 | 第68-70页 |
| 5.1 本文主要贡献 | 第68-69页 |
| 5.2 下一步工作展望 | 第69-70页 |
| 致谢 | 第70-71页 |
| 参考文献 | 第71-76页 |
| 攻读硕士学位期间取得的研究成果 | 第76-77页 |
