| 摘要 | 第3-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-24页 |
| 1.1 引言 | 第9-10页 |
| 1.2 GaN 材料的基本特性 | 第10-13页 |
| 1.2.1 GaN 材料的结构与物理化学特性 | 第10-11页 |
| 1.2.2 GaN 材料的电学和光学特性 | 第11-12页 |
| 1.2.3 GaN 材料的掺杂特性 | 第12-13页 |
| 1.3 GaN 薄膜材料的外延生长技术 | 第13-15页 |
| 1.4 GaN 材料应用的困难及 GaN 基 LED 中的 droop 效应 | 第15-16页 |
| 1.5 p 型 GaN 的激活以及 LED 中 droop 效应的研究现状 | 第16-22页 |
| 1.5.1 p 型 GaN 激活的研究现状 | 第16-19页 |
| 1.5.2 GaN 基 LED 的 droop 效应的研究现状 | 第19-22页 |
| 1.6 本论文研究的内容及行文安排 | 第22-24页 |
| 第二章 SIMS 定量分析方法及在半导体材料分析中的应用 | 第24-36页 |
| 2.1 SIMS 简介 | 第24-25页 |
| 2.2 SIMS 的测试原理 | 第25-26页 |
| 2.3 SIMS 定量分析方法 | 第26-27页 |
| 2.4 SIMS 在半导体材料分析中的应用 | 第27-32页 |
| 2.4.1 常规分析 | 第28-29页 |
| 2.4.2 最低测量极限及污染物分析 | 第29-30页 |
| 2.4.3 高分辨率 SIMS 分析 | 第30-31页 |
| 2.4.4 解剖分析 | 第31-32页 |
| 2.5 CAMECA IMS 7f 型二次离子质谱仪结构与性能 | 第32-36页 |
| 2.5.1 一次离子束系统 | 第32-33页 |
| 2.5.2 双聚焦质量分析器 | 第33页 |
| 2.5.3 离子信号检测系统 | 第33-36页 |
| 第三章 覆盖 Ni/Ag 退火对 p 型 GaN 激活的影响 | 第36-55页 |
| 3.1 引言 | 第36页 |
| 3.2 实验 | 第36-39页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第39-53页 |
| 3.3.1 GaN 中的 H 行为 | 第39-40页 |
| 3.3.2 不同退火条件对样品中 H 浓度的影响分析 | 第40-43页 |
| 3.3.3 覆盖 Ni/Ag 退火后样品的金属接触特性研究 | 第43-50页 |
| 3.3.4 覆盖 Ni/Ag 退火激活 Mg 受主的机理探讨 | 第50-53页 |
| 3.4 本章小结 | 第53-55页 |
| 第四章 外延生长条件对 n 型 GaN 生长速率与掺杂的影响 | 第55-60页 |
| 4.1 引言 | 第55页 |
| 4.2 实验 | 第55-56页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第56-59页 |
| 4.4 本章小结 | 第59-60页 |
| 第五章 具有梯形量子阱的硅基绿光 LED 光电特性研究 | 第60-66页 |
| 5.1 引言 | 第60页 |
| 5.2 实验 | 第60-62页 |
| 5.3 结果与讨论 | 第62-65页 |
| 5.4 本章小结 | 第65-66页 |
| 第六章 总结 | 第66-68页 |
| 致谢 | 第68-69页 |
| 参考文献 | 第69-76页 |
