| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第1章 绪论 | 第11-19页 |
| 1.1 半导体激光器的发展历史 | 第11-13页 |
| 1.2 大功率半导体激光器的发展现状 | 第13-15页 |
| 1.3 激光器大功率输出面临的主要问题 | 第15-17页 |
| 1.3.1 限制半导体激光器大功率输出的主要因素 | 第15-16页 |
| 1.3.2 提高半导体激光器 COD 阈值的主要方法 | 第16-17页 |
| 1.4 本文的主要研究内容 | 第17-19页 |
| 第2章 半导体激光器的基本理论 | 第19-27页 |
| 2.1 半导体激光器的基本结构 | 第19页 |
| 2.2 半导体激光器的工作原理 | 第19-22页 |
| 2.2.1 粒子数反转分布 | 第20页 |
| 2.2.2 阈值条件 | 第20-21页 |
| 2.2.3 光子反馈 | 第21-22页 |
| 2.3 半导体激光器的主要特征参数 | 第22-24页 |
| 2.3.1 半导体激光器的电学特性参数 | 第22页 |
| 2.3.2 半导体激光器的光学特性参数 | 第22-23页 |
| 2.3.3 半导体激光器的光电特性参数 | 第23-24页 |
| 2.4 条形激光器简介 | 第24-25页 |
| 2.5 本章小结 | 第25-27页 |
| 第3章 常规结构大功率半导体激光器的研制 | 第27-47页 |
| 3.1 常规结构大功率半导体激光器的结构设计 | 第28-31页 |
| 3.1.1 芯片外延结构设计 | 第28-29页 |
| 3.1.2 条形结构的设计 | 第29-31页 |
| 3.2 常规结构大功率半导体激光器的制备工艺 | 第31-42页 |
| 3.2.1 基本工艺步骤介绍 | 第31-34页 |
| 3.2.2 常规结构大功率半导体激光器的制备 | 第34-39页 |
| 3.2.3 常规结构大功率半导体激光器的封装 | 第39-42页 |
| 3.3 器件测试 | 第42-44页 |
| 3.3.1 器件内量子效率的拟合 | 第42-43页 |
| 3.3.2 器件初测 | 第43页 |
| 3.3.3 腔面镀膜后器件的测试 | 第43-44页 |
| 3.4 本章小结 | 第44-47页 |
| 第4章 具有腔面非注入区窗口结构半导体激光器的研制 | 第47-67页 |
| 4.1 腔面附近介质钝化形成非注入区窗口结构 | 第47-52页 |
| 4.1.1 腔面附近介质钝化形成非注入区窗口结构版图设计 | 第47-48页 |
| 4.1.2 工艺步骤 | 第48-50页 |
| 4.1.3 器件测试 | 第50-52页 |
| 4.2 腐蚀高掺杂欧姆接触层形成腔面非注入区窗口结构 | 第52-58页 |
| 4.2.1 版图设计 | 第52-53页 |
| 4.2.2 工艺步骤 | 第53-55页 |
| 4.2.3 器件测试 | 第55-58页 |
| 4.3 新型腔面非注入区窗口结构半导体激光器 | 第58-66页 |
| 4.3.1 版图设计 | 第59-61页 |
| 4.3.2 工艺步骤 | 第61-62页 |
| 4.3.3 器件测试 | 第62-66页 |
| 4.4 本章小结 | 第66-67页 |
| 结论 | 第67-69页 |
| 参考文献 | 第69-73页 |
| 攻读硕士学位期间所发表的学术论文 | 第73-75页 |
| 致谢 | 第75页 |
