| 摘要 | 第3-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-25页 |
| 1.1 前言 | 第9-10页 |
| 1.2 硅衬底 GaN 基 LED 外延薄膜生长及结构 | 第10-12页 |
| 1.3 二次离子质谱法（SIMS）的简介 | 第12-20页 |
| 1.3.1 SIMS 的发展历程 | 第12-13页 |
| 1.3.2 SIMS 工作原理及其特点 | 第13-16页 |
| 1.3.3 CAMECA IMS-7f 的主要部件简介 | 第16-18页 |
| 1.3.4 SIMS 深度剖析（Depth Profiling） | 第18-20页 |
| 1.4 离子溅射的应用及 SIMS 溅射坑底形貌研究现状 | 第20-24页 |
| 1.4.1 离子溅射的应用 | 第20-22页 |
| 1.4.2 SIMS 溅射坑底形貌研究现状 | 第22-24页 |
| 1.5 本论文的研究内容及行文安排 | 第24-25页 |
| 第2章 离子溅射理论 | 第25-35页 |
| 2.1 前言 | 第25页 |
| 2.2 择优溅射理论 | 第25-30页 |
| 2.2.1 择优溅射过程 | 第25-26页 |
| 2.2.2 溅射的择优方向 | 第26-29页 |
| 2.2.3 择优溅射的影响 | 第29-30页 |
| 2.3 Bradley-Harper 模型 | 第30-33页 |
| 2.4 Ehrlich-Schwoebel 模型 | 第33-35页 |
| 第3章 Cs+离子束溅射引发 GaN 表面特殊结构的演变 | 第35-52页 |
| 3.1 引言 | 第35页 |
| 3.2 溅射坑底表面纳米点的形成 | 第35-45页 |
| 3.2.1 实验 | 第36-38页 |
| 3.2.2 实验结果与讨论 | 第38-45页 |
| 3.2.3 小结 | 第45页 |
| 3.3 溅射坑底表面凹坑的形成 | 第45-51页 |
| 3.3.1 实验 | 第45-46页 |
| 3.3.2 实验结果与讨论 | 第46-50页 |
| 3.3.3 小结 | 第50-51页 |
| 3.4 本章小结 | 第51-52页 |
| 第4章 SIMS 中高能量 Cs+离子束溅射 GaN 的研究 | 第52-64页 |
| 4.1 引言 | 第52页 |
| 4.2 离子束聚焦好坏对坑底表面形貌的影响 | 第52-56页 |
| 4.2.1 实验 | 第52-53页 |
| 4.2.2 实验结果与讨论 | 第53-56页 |
| 4.2.3 小结 | 第56页 |
| 4.3 不同束流对坑底表面形貌的影响 | 第56-60页 |
| 4.3.1 实验 | 第56页 |
| 4.3.2 实验结果与讨论 | 第56-60页 |
| 4.3.3 小结 | 第60页 |
| 4.4 样品初始表面形貌对坑底表面形貌的影响 | 第60-63页 |
| 4.4.1 实验 | 第60-61页 |
| 4.4.2 实验结果与讨论 | 第61-63页 |
| 4.4.3 小结 | 第63页 |
| 4.5 本章小结 | 第63-64页 |
| 第5章 总结 | 第64-66页 |
| 致谢 | 第66-67页 |
| 参考文献 | 第67-73页 |
