| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-8页 |
| 第1章 绪论 | 第11-19页 |
| 1.1 引言 | 第11页 |
| 1.2 LED发展历史及国内外研究现状 | 第11-15页 |
| 1.3 AlGaInP LED | 第15-18页 |
| 1.3.1 AlGaInP材料特性 | 第16页 |
| 1.3.2 AlGaInP LED发光原理 | 第16-18页 |
| 1.4 本论文的主要研究内容 | 第18-19页 |
| 第2章 AlGaInP LED的主要问题及解决方案 | 第19-28页 |
| 2.1 AlGaInP LED的基本结构 | 第19-20页 |
| 2.2 AlGaInP LED的主要问题 | 第20-21页 |
| 2.3 AlGaInP LED外量子效率的提升方法 | 第21-27页 |
| 2.3.1 电流扩展层 | 第21-22页 |
| 2.3.2 全方位反射ODR技术 | 第22-23页 |
| 2.3.3 表面粗化技术 | 第23-25页 |
| 2.3.4 转移衬底的薄膜LED | 第25-26页 |
| 2.3.5 倒金字塔结构 | 第26-27页 |
| 2.4 本章小结 | 第27-28页 |
| 第3章 电镀铜衬底AIGaInP红光LED器件的制备 | 第28-42页 |
| 3.1 AlGaInP LED外延结构 | 第28-30页 |
| 3.2 衬底材料:电镀铜 | 第30-36页 |
| 3.2.1 衬底材料的选择 | 第30-33页 |
| 3.2.2 金属铜基板的制备 | 第33-36页 |
| 3.3 电镀铜AlGaInP红光LED工艺流程 | 第36-40页 |
| 3.4 本章小结 | 第40-42页 |
| 第4章 电镀铜AlGaInP红光LED性能研究 | 第42-55页 |
| 4.1 光电性能测试及分析 | 第42-48页 |
| 4.1.1 光致发光(PL)谱及电致发光(EL)谱分析 | 第42-45页 |
| 4.1.2 I-V特性分析 | 第45-48页 |
| 4.2 AlGaInP RLED热稳定性研究 | 第48-52页 |
| 4.2.1 峰值波长及半高宽随电流变化研究 | 第48-50页 |
| 4.2.2 光通量及光效随电流变化研究 | 第50-52页 |
| 4.3 电镀铜衬底的AlGaInP RLED结温特性 | 第52-53页 |
| 4.4 本章小结 | 第53-55页 |
| 第5章 结论与展望 | 第55-57页 |
| 5.1 结论 | 第55-56页 |
| 5.2 研究展望 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-61页 |
| 个人简历及发表文章目录 | 第61-62页 |
| 致谢 | 第62页 |
