| 摘要 | 第4-5页 |
| abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-24页 |
| 1.1 引言 | 第9-10页 |
| 1.2 低维氧化钼纳米材料的研究进展 | 第10-15页 |
| 1.2.1 二氧化钼纳米材料的结构 | 第10-11页 |
| 1.2.2 低维氧化钼纳米材料的制备方法 | 第11-13页 |
| 1.2.3 低维氧化钼纳米材料的性能及应用 | 第13-15页 |
| 1.3 二硫化钼的结构与性质 | 第15-23页 |
| 1.3.1 二硫化钼的晶体结构和电子结构 | 第15-17页 |
| 1.3.2 二硫化钼的制备方法 | 第17-20页 |
| 1.3.3 二硫化钼的性质及潜在应用 | 第20-23页 |
| 1.4 本文选题依据及主要硏究内容 | 第23-24页 |
| 第二章 实验材料、设备和表征技术 | 第24-30页 |
| 2.1 实验材料及设备 | 第24-25页 |
| 2.1.1 实验材料 | 第24页 |
| 2.1.2 实验设备 | 第24-25页 |
| 2.2 表征技术 | 第25-30页 |
| 2.2.1 光学显微镜 | 第25-26页 |
| 2.2.2 原子力显微镜 | 第26页 |
| 2.2.3 扫描电子显微镜 | 第26页 |
| 2.2.4 拉曼光谱 | 第26-27页 |
| 2.2.5 X射线光电子能谱 | 第27页 |
| 2.2.6 透射电子显微镜 | 第27-28页 |
| 2.2.7 光致发光光谱 | 第28页 |
| 2.2.8 紫外-可见光吸收光谱 | 第28-29页 |
| 2.2.9 霍尔效应测试仪 | 第29-30页 |
| 第三章 二氧化钼纳米片的制备与光学性质研究 | 第30-47页 |
| 3.1 化学气相沉积法生长二氧化钼纳米片 | 第30-31页 |
| 3.2 二氧化钼纳米片的生长研究 | 第31-36页 |
| 3.2.1 温度对二氧化钼纳米片生长的影响 | 第31-33页 |
| 3.2.2 硫钼比例对二氧化钼纳米片生长的影响 | 第33-34页 |
| 3.2.3 二氧化钼纳米片的生长机制 | 第34-36页 |
| 3.3 二氧化钼纳米片的表征 | 第36-43页 |
| 3.3.1 原子力显微镜表征二氧化钼纳米片的厚度和均匀性 | 第37-38页 |
| 3.3.2 拉曼光谱分析 | 第38-40页 |
| 3.3.3 X射线光电子能谱测试 | 第40-42页 |
| 3.3.4 透射电子显微镜表征二氧化钼纳米片的结晶性 | 第42-43页 |
| 3.4 二氧化钼纳米片的光学性质测试 | 第43-46页 |
| 3.4.1 二氧化钼纳米片的紫外可见光吸收光谱 | 第43-45页 |
| 3.4.2 二氧化钼纳米片的光致发光光谱 | 第45-46页 |
| 3.5 本章小结 | 第46-47页 |
| 第四章 单层二硫化钼的制备与光电性质研究 | 第47-68页 |
| 4.1 化学气相沉积法生长单层二硫化钼 | 第47-48页 |
| 4.2 单层二硫化钼的生长研究 | 第48-53页 |
| 4.2.1 促进剂对单层二硫化钼生长的影响 | 第48-51页 |
| 4.2.2 衬底对单层二硫化钼生长的影响 | 第51-53页 |
| 4.3 单层二硫化钼的表征 | 第53-60页 |
| 4.3.1 原子力显微镜表征二硫化钼的厚度和均匀性 | 第54-55页 |
| 4.3.2 透射电子显微镜表征二硫化钼的结晶性 | 第55-56页 |
| 4.3.3 X射线光电子能谱 | 第56-57页 |
| 4.3.4 拉曼光谱分析 | 第57-60页 |
| 4.4 单层二硫化钼的光电性质 | 第60-66页 |
| 4.4.1 光致发光性质 | 第60-63页 |
| 4.4.2 电学性质 | 第63-66页 |
| 4.5 本章小结 | 第66-68页 |
| 第五章 总结与展望 | 第68-69页 |
| 参考文献 | 第69-75页 |
| 发表论文和科研情况说明 | 第75-76页 |
| 致谢 | 第76页 |
