| 摘要 | 第6-7页 |
| Abstract | 第7页 |
| 第1章 绪论 | 第10-14页 |
| 1.1 研究课题的背景及意义 | 第10-11页 |
| 1.2 研究课题的国内外研究现状 | 第11-13页 |
| 1.3 本文主要工作与结构安排 | 第13-14页 |
| 第2章 无电阻带隙基准电源的理论基础 | 第14-35页 |
| 2.1 带隙基准电压源的基本原理概述 | 第14-23页 |
| 2.1.1 传统带隙基准电压源的实现 | 第14-19页 |
| 2.1.2 无电阻带隙基准电源的实现 | 第19-23页 |
| 2.2 带隙基准电源的性能指标 | 第23-24页 |
| 2.3 带隙基准电压源的高阶误差 | 第24-26页 |
| 2.4 常见高阶补偿理论 | 第26-33页 |
| 2.4.1 亚阈值区MOS管温度补偿 | 第26-27页 |
| 2.4.2 二阶曲率温度补偿 | 第27-28页 |
| 2.4.3 指数曲率温度补偿 | 第28-29页 |
| 2.4.4 分段线性补偿 | 第29-30页 |
| 2.4.5 电阻温度特性补偿 | 第30-31页 |
| 2.4.6 V_(BE)线性化补偿 | 第31-33页 |
| 2.5 无电阻高阶补偿理论 | 第33-35页 |
| 第3章 高精度无电阻带隙基准电压源设计 | 第35-48页 |
| 3.1 无电阻一阶补偿电路的设计 | 第35-38页 |
| 3.2 零温度系数偏置电路设计 | 第38-43页 |
| 3.2.1 PTAT电流源 | 第39-40页 |
| 3.2.2 CTAT电流源 | 第40-41页 |
| 3.2.3 偏置电源输出 | 第41-43页 |
| 3.3 新型无电阻V_(BE)线性化温度补偿电路设计 | 第43-46页 |
| 3.4 整体电路结构分析 | 第46-48页 |
| 第4章 无电阻带隙基准电路仿真与分析 | 第48-53页 |
| 4.1 温度特性仿真 | 第48-49页 |
| 4.2 电源调整率仿真 | 第49-50页 |
| 4.3 电源抑制比仿真 | 第50-51页 |
| 4.4 电源启动及功耗仿真 | 第51页 |
| 4.5 仿真结果分析 | 第51-53页 |
| 结论 | 第53-54页 |
| 致谢 | 第54-55页 |
| 参考文献 | 第55-59页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第59页 |