| 摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-19页 |
| 1.1 引言 | 第9页 |
| 1.2 GaN材料的晶体结构和基本性质 | 第9-11页 |
| 1.2.1 GaN材料的晶体结构 | 第9-10页 |
| 1.2.2 GaN材料的物理性质 | 第10-11页 |
| 1.2.3 GaN材料的化学性质 | 第11页 |
| 1.3 GaN的制备方法 | 第11-12页 |
| 1.3.1 衬底的选择 | 第11-12页 |
| 1.3.2 常见的制备方法 | 第12页 |
| 1.4 GaN基LED | 第12-17页 |
| 1.4.1 GaN基LED发展史 | 第12-15页 |
| 1.4.2 目前存在的问题 | 第15-16页 |
| 1.4.3 解决办法及选题意义 | 第16-17页 |
| 1.5 本文选题依据及主要工作 | 第17-19页 |
| 第二章 MOCVD生长系统和表征测试设备 | 第19-29页 |
| 2.1 MOCVD系统的介绍 | 第19-22页 |
| 2.1.1 源供应系统 | 第19-21页 |
| 2.1.2 反应系统 | 第21页 |
| 2.1.3 控制和监测系统 | 第21-22页 |
| 2.1.4 水冷和尾气处理系统 | 第22页 |
| 2.2 两步法生长GaN外延层 | 第22-24页 |
| 2.3 测试仪器 | 第24-29页 |
| 2.3.1 扫描电子显微镜 | 第24-25页 |
| 2.3.2 X射线光电子能谱 | 第25-26页 |
| 2.3.3 微区光致发光光谱仪 | 第26-27页 |
| 2.3.4 阴极荧光光谱仪 | 第27-28页 |
| 2.3.5 聚焦离子束双束系统 | 第28页 |
| 2.3.6 透射电子显微镜 | 第28-29页 |
| 第三章 类金字塔状GaN微米锥的生长调控 | 第29-41页 |
| 3.1 引言 | 第29页 |
| 3.2 样品制备 | 第29-31页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第31-39页 |
| 3.3.1 类金字塔状GaN微米锥生长温度的调控 | 第31-33页 |
| 3.3.2 类金字塔状GaN微米锥生长时间的调控 | 第33-35页 |
| 3.3.3 类金字塔状GaN微米锥生长压力及V/III比的调控 | 第35-37页 |
| 3.3.4 类金字塔状GaN微米锥的晶面分析 | 第37-39页 |
| 3.4 本章小结 | 第39-41页 |
| 第四章 类金字塔状InGaN/GaN微米锥的微观结构与光学性质 | 第41-51页 |
| 4.1 引言 | 第41-42页 |
| 4.2 样品制备 | 第42-43页 |
| 4.2.1 类金字塔状InGaN/GaN微米锥的生长 | 第42-43页 |
| 4.2.2 透射样品的制备 | 第43页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第43-49页 |
| 4.3.1 类金字塔状InGaN/GaN微米锥的形貌表征和能谱分析 | 第43-44页 |
| 4.3.2 类金字塔状InGaN/GaN微米锥的阴极荧光光谱分析 | 第44-46页 |
| 4.3.3 类金字塔状InGaN/GaN微米锥的微观结构表征 | 第46-47页 |
| 4.3.4 类金字塔状InGaN/GaN微米锥的微区光致发光光谱分析 | 第47-49页 |
| 4.4 本章小结 | 第49-51页 |
| 第五章 结论与展望 | 第51-53页 |
| 5.1 结论 | 第51-52页 |
| 5.2 展望 | 第52-53页 |
| 参考文献 | 第53-61页 |
| 致谢 | 第61-63页 |
| 攻读硕士期间取得的科研成果 | 第63页 |
