| 中文摘要 | 第2-3页 |
| Abstract | 第3页 |
| 中文文摘 | 第4-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-22页 |
| 1.1 拓扑绝缘体概述 | 第8-10页 |
| 1.2 拓扑绝缘体发展历史 | 第10-15页 |
| 1.3 拓扑绝缘体Bi_2Se_3和Bi_2Te_3 | 第15-18页 |
| 1.4 拓扑绝缘体的磁性掺杂 | 第18-20页 |
| 1.5 本文的研究意义和大致结构 | 第20-22页 |
| 第二章 理论与方法 | 第22-30页 |
| 2.1 引言 | 第22页 |
| 2.2 绝热近似 | 第22-23页 |
| 2.3 Hartree-Fock近似 | 第23-26页 |
| 2.4 密度泛函理论 | 第26-27页 |
| 2.5 交换关联泛函 | 第27-28页 |
| 2.6 VASP程序简介 | 第28-30页 |
| 第三章 外力应变对Bi_2Se_3拓扑绝缘体能带调控的第一性原理研究 | 第30-38页 |
| 3.1 引言 | 第30页 |
| 3.2 模型与方法 | 第30-32页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第32-36页 |
| 3.4 本章小结 | 第36-38页 |
| 第四章 磁性掺杂拓扑绝缘体材料的表面态及其电场调控 | 第38-54页 |
| 4.1 引言 | 第38页 |
| 4.2 模型与方法 | 第38-40页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第40-52页 |
| 4.4 本章小结 | 第52-54页 |
| 第五章 拓扑绝缘体Bi_2 (Se_xTe_(1-x))3合金的表面态及其电场调控 | 第54-62页 |
| 5.1 引言 | 第54页 |
| 5.2 模型与方法 | 第54-56页 |
| 5.3 结果与讨论 | 第56-60页 |
| 5.4 本章小结 | 第60-62页 |
| 第六章 总结与展望 | 第62-64页 |
| 参考文献 | 第64-72页 |
| 攻读学位期间承担的科研任务与主要成果 | 第72-74页 |
| 致谢 | 第74-76页 |
| 个人简历 | 第76-80页 |
