| 摘要 | 第3-4页 |
| ABSTRACT | 第4页 |
| 前言 | 第7-8页 |
| 第一章 文献综述 | 第8-23页 |
| 1.1 固体药物多晶型的研究 | 第8-12页 |
| 1.1.1 药物多晶型现象 | 第8-9页 |
| 1.1.2 固体药物晶型的研究意义 | 第9页 |
| 1.1.3 固体药物晶型的常规检测手段 | 第9-12页 |
| 1.1.4 固体药物晶型转化及控制方法 | 第12页 |
| 1.2 那格列奈简介及其晶型的研究现状 | 第12-14页 |
| 1.3 分子自组装膜技术 | 第14-22页 |
| 1.3.1 分子自组装膜的分类 | 第14-15页 |
| 1.3.2 分子自组装膜的制备 | 第15-16页 |
| 1.3.3 分子自组装膜的结构及形成机理 | 第16-18页 |
| 1.3.4 自组装膜的表征方法 | 第18-21页 |
| 1.3.5 分子自组装膜的应用 | 第21-22页 |
| 1.4 本文研究思路 | 第22-23页 |
| 第二章 实验部分 | 第23-27页 |
| 2.1 实验器材 | 第23-25页 |
| 2.1.1 实验药品及试剂 | 第23-24页 |
| 2.1.2 实验仪器及表征设备 | 第24-25页 |
| 2.1.3 实验基片 | 第25页 |
| 2.2 晶体粉末的表征方法 | 第25-26页 |
| 2.2.1 X射线衍射（XRD）分析 | 第25-26页 |
| 2.2.2 熔点测定 | 第26页 |
| 2.3 SAMs的表征方法 | 第26-27页 |
| 2.3.1 接触角的表征 | 第26页 |
| 2.3.2 原子力显微镜（AFM）表征 | 第26页 |
| 2.3.3 X-射线光电子能谱（XPS）表征 | 第26-27页 |
| 第三章 用于诱导那格列奈的硅氧烷自组装膜的合成研究 | 第27-41页 |
| 3.1 硅氧烷组装分子的选择 | 第27-28页 |
| 3.2 玻璃基片的预处理及表征 | 第28-31页 |
| 3.2.1 接触角的测量 | 第29页 |
| 3.2.2 表面元素组成的XPS表征 | 第29-30页 |
| 3.2.3 表面形貌的AFM分析 | 第30-31页 |
| 3.3 SAMs-Si-3-NH_2的制备及表征 | 第31-34页 |
| 3.3.1 接触角的测量 | 第31页 |
| 3.3.2 表面元素组成的XPS表征 | 第31-33页 |
| 3.3.3 表面形貌的AFM分析 | 第33-34页 |
| 3.4 SAMs-Si-3-NH-ph的制备及表征 | 第34-37页 |
| 3.4.1 接触角的测量 | 第34-35页 |
| 3.4.2 表面元素组成的XPS表征 | 第35-36页 |
| 3.4.3 表面形貌的AFM分析 | 第36-37页 |
| 3.5 SAMs-Si-11-Br的制备及表征 | 第37-40页 |
| 3.5.1 接触角的测量 | 第38页 |
| 3.5.2 表面元素组成的XPS表征 | 第38-39页 |
| 3.5.3 表面形貌的AFM分析 | 第39-40页 |
| 3.6 本章小结 | 第40-41页 |
| 第四章 硅氧烷自组装膜诱导那格列奈多晶型结晶过程的研究 | 第41-63页 |
| 4.1 那格列奈溶解度的测定 | 第41-43页 |
| 4.2 那格列奈在硅氧烷自组装膜上的结晶实验 | 第43-59页 |
| 4.2.1 那格列奈在SAMs-Si-3-NH_2上的结晶 | 第44-49页 |
| 4.2.2 那格列奈在SAMs-Si-3-NH-ph上的结晶 | 第49-53页 |
| 4.2.3 那格列奈在SAMs-Si-11-Br上的结晶 | 第53-56页 |
| 4.2.4 那格列奈在溶液中的结晶 | 第56-59页 |
| 4.3 硅氧烷自组装膜对那格列奈多晶型的影响 | 第59-61页 |
| 4.3.1 对比溶液中晶体讨论硅氧烷SAMs对那格列奈晶型的影响 | 第59-61页 |
| 4.3.2 不同类型硅氧烷SAMs对那格列奈多晶型的影响 | 第61页 |
| 4.4 本章小结 | 第61-63页 |
| 第五章 结论与展望 | 第63-65页 |
| 5.1 结论 | 第63-64页 |
| 5.2 展望 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-70页 |
| 发表论文和参加科研情况说明 | 第70-71页 |
| 致谢 | 第71页 |
