| 目录 | 第2-4页 |
| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第7-26页 |
| 1.1 引言 | 第7-8页 |
| 1.2 非挥发存储器件体系介绍 | 第8-24页 |
| 1.2.1 Flash存储器 | 第8-11页 |
| 1.2.2 Flash后的新型不挥发存储器 | 第11-24页 |
| 1.3 本论文工作的工作意义、目的和内容 | 第24-26页 |
| 第二章 阻变存储器的工艺制备和测试表征 | 第26-37页 |
| 2.1 电子束蒸发 | 第26页 |
| 2.2 磁控溅射溅射 | 第26-27页 |
| 2.3 原子层淀积(Atomic Layer Deposition,ALD) | 第27-34页 |
| 2.3.1 热生长原子层淀积(ALD)技术原理简介 | 第27-30页 |
| 2.3.2 ALD 应用的变种-----Plasma Enhanced ALD (PEALD)技术原理简介 | 第30-31页 |
| 2.3.3 ALD反应器 | 第31-34页 |
| 2.4 测试与表征 | 第34-36页 |
| 2.4.1 XPS 简介 | 第34页 |
| 2.4.2 TEM简介 | 第34-35页 |
| 2.4.3 SE简介 | 第35页 |
| 2.4.4 电学特性测试与表征 | 第35-36页 |
| 2.5 本章小结 | 第36-37页 |
| 第三章 基于Al_2O_3/HfO_2堆栈结构的阻变存储器阻变电压稳定性改善的研究 | 第37-51页 |
| 3.1 引言 | 第37-38页 |
| 3.2 实验方案 | 第38-41页 |
| 3.2.1 实验目标 | 第38-40页 |
| 3.2.2 实验内容 | 第40-41页 |
| 3.3 实验结果与分析 | 第41-49页 |
| 3.3.1 SE、TEM及EDX测试结果 | 第41-43页 |
| 3.3.2 XPS及XRD测试结果 | 第43-46页 |
| 3.3.3 电学特性结果分析 | 第46-49页 |
| 3.4 本章小结 | 第49-51页 |
| 第四章 基于HfO_2的表面氮化和未氮化处理的RRAM器件的对比研究 | 第51-58页 |
| 4.1 引言 | 第51页 |
| 4.2 实验方案 | 第51-52页 |
| 4.2.1 实验目标 | 第51页 |
| 4.2.2 实验内容 | 第51-52页 |
| 4.3 实验数据与分析 | 第52-57页 |
| 4.3.1 椭偏及TEM分析 | 第52页 |
| 4.3.2 XPS表征及分析 | 第52-54页 |
| 4.3.3 电学特性测试与结果分析 | 第54-57页 |
| 4.4 本章小结 | 第57-58页 |
| 第五章 结论与展望 | 第58-60页 |
| 参考文献 | 第60-65页 |
| 硕士阶段发表论文及专利 | 第65-66页 |
| 致谢 | 第66-67页 |
