| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第一章 引言 | 第9-14页 |
| 1.1 巨磁阻效应(GMR) | 第9-11页 |
| 1.2 自旋转移矩效应(STT) | 第11-12页 |
| 1.3 磁电阻随机存储器(M RAM) | 第12-14页 |
| 第二章 微磁模拟方法 | 第14-22页 |
| 2.1 物理模型 | 第14-16页 |
| 2.2 LLG动力学方程 | 第16-18页 |
| 2.3 数值模型 | 第18-21页 |
| 2.4 微磁模拟计算 | 第21-22页 |
| 第三章 三明治结构中电子多重反射下的自旋转移矩 | 第22-35页 |
| 3.1 三明治自旋阀结构中的自旋相关散射 | 第22-24页 |
| 3.2 物理模型 | 第24-27页 |
| 3.3 结果分析 | 第27-28页 |
| 3.4 模拟磁矩翻转过程 | 第28-34页 |
| 3.5 小结 | 第34-35页 |
| 第四章 面内-垂直双自旋极化层结构中的多次自旋相关散射 | 第35-46页 |
| 4.1 双自旋极化层结构的物理模型 | 第35-39页 |
| 4.2 双自旋极化层结构的振荡过程模拟 | 第39-43页 |
| 4.3 振荡频率的解析分析 | 第43-45页 |
| 4.4 小结 | 第45-46页 |
| 第五章 纳米线中非对称切口和磁畴壁的脱钉扎行为 | 第46-53页 |
| 5.1 纳米线中的磁畴壁与磁畴壁赛道存储器(RM) | 第46-48页 |
| 5.2 纳米线样品的结构与磁滞回线 | 第48-50页 |
| 5.3 畴壁脱钉扎过程的微磁学模拟 | 第50-52页 |
| 5.4 小结 | 第52-53页 |
| 结论和展望 | 第53-54页 |
| 参考文献 | 第54-59页 |
| 硕士期间已发表论文 | 第59-60页 |
| 致谢 | 第60-61页 |